ゲートスタックへのHf導入によるメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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高性能GeチャネルCMOS実現には、寄生抵抗を極限まで低減したメタル・ソース/ドレイン(S/D)の導入が望ましい。我々は、HfGe/Geコンタクトが、p-MOSFET用メタルS/Dに要求される性能を満たすことを見出し、HfGe/GeメタルS/DとAl/SiO_2/GeO_2/Geゲートスタックを用いたGe p-MOSFETのトランジスタ動作に成功した。さらに、ゲートスタックにHfを導入することで移動度が919 cm^2/Vsまで飛躍的に向上することを発見した。この移動度向上はゲートスタックにおける電荷の相互補償によって説明でき、Ge MOSFET高移動度化の有効な手法となる事が期待される。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-06-11
著者
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