極薄トンネル酸化膜の電気特性の膜厚依存性と熱処理効果およびFIBによるCoシリサイド微構造の低温形成
スポンサーリンク
概要
著者
-
中島 寛
九州大学産学連携センター
-
中島 寛
九州大学先端科学技術共同研究センター
-
手島 昇
九州大学工学部電気情報工学科
-
中島 寛
先端科学技術共同研究センター
-
馬場 昭好
九州大学大学院システム情報科学研究科電子デバイス工学専攻
-
中島 寛
九大 産学連携セ
-
中島 寛[他]
九州大学先端科学技術共同研究センター
関連論文
- 界面層にHfGeNおよびGeO_2を有するhigh-k膜/Ge構造の形成と電気的評価 : Ge基板への絶縁膜形成(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- AIC法による低温多結晶シリコン薄膜形成挙動の微細構造解析(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- アルミニウム誘起結晶化法による多結晶シリコン薄膜形成挙動のその場加熱観察
- アルミニウム誘起結晶化法による多結晶シリコン形成過程のその場加熱観察
- AIC法により作製された多結晶シリコン薄膜形成過程(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 次世代ひずみSi-SGOIウエーハの微細組織観察
- ECRプラズマを活用した高品質絶縁膜の低温形成(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- ECRプラズマを活用した高品質絶縁膜の低温形成(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- 電子サイクロトロンプラズマを活用したシリコン薄膜及び極薄シリコン酸化膜の形成とその電気的評価
- 26aB13 ECRスパッタリングプラズマ制御による単結晶薄膜の成長(ヘリカル/プラズマ応用)
- CoSi_2ゲートMOS形トンネル電子放出素子の評価
- 極薄トンネル酸化膜の電気特性の膜厚依存性と熱処理効果およびFIBによるCoシリサイド微構造の低温形成
- シリコン中の鉄原子の再結合促進移動を利用した構造的に準安定な鉄-ボロン・ペアの生成
- AIC法により作製された多結晶シリコン薄膜形成過程(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- AIC法により作製された多結晶シリコン薄膜形成過程(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Electrical and Structural Properties of TaN Gate Electrodes Fabricated by Wet Etching Using NH_4OH/H_2O_2 Solution and Hf Metal Hard Mask
- ECRプラズマを活用した高品質絶縁膜の低温形成(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- TaN/Hf系high-k/Siゲートスタック構造の電気特性
- AIC法による低温多結晶シリコン薄膜形成挙動の微細構造解析(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 次世代ULSI用歪シリコンウェーハの開発(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 次世代ULSI用歪シリコンウェーハの開発(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- ECRプラズマ支援Si酸化とイオン照射効果
- 自律的構造形成プロセスへのアプローチ
- 集束イオンビームを用いたシリコン細線構造形成
- 低エネルギーイオン照射によるシリコンの非晶質化
- 高効率両面受光太陽電池製造におけるp+層とn+層のFeゲッタリング能力評価
- TiN/Geコンタクトに於けるフェルミレベルピンニング変調とMOSデバイスへの応用(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ゲートスタックへのHf導入によるメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- シリコン中の鉄の挙動シミュレーションによる太陽電池製作プロセスにおける少数キャリアライフタイムの評価と制御