TiN/Geコンタクトに於けるフェルミレベルピンニング変調とMOSデバイスへの応用(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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金属/Ge界面ではフェルミレベルがGeの価電子帯近傍にピンニング(FLP)され、低障壁・低抵抗な金属/Geコンタクトの形成は困難と考えられてきた。我々は、TiNをGe上に直接スパッタ堆積する事で、FLPの位置が伝導帯近傍へ大幅に変調する現象を見出した。この現象にはTiN/Ge界面の微細構造が強く関与している。我々は、この現象を利用し、TiN/Geをソース/ドレインとしたショットキーn-MOSFETの試作に成功しており、これらの結果は将来的な超微細ショットキーGe CMOSへの展開が期待される。
- 2012-06-14
著者
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中島 寛
九州大学産学連携センター
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王 冬
九州大学産学連携センター
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中島 寛
先端科学技術共同研究センター
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中島 寛
九大 産学連携セ
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山本 圭介
九州大学大学院総合理工学府
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井餘田 昌俊
九州大学大学院総合理工学府
-
王 冬
九州大学大学院総合理工学府
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