CZ-Si結晶成長における成長界面近傍温度の勾配 : バルク成長I
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概要
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Temperature distribution in the Czochralski (CZ) Si crystal growth has been measured using a thermocouple of differential type. It is found that temperature gradient in the CZ-Si crystal growth increased with increasing the growth rate. The results obtained by the present measurement are al so compared with those obtained by the conventional measurement.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
-
太子 敏則
東北大学金属材料研究所
-
太子 敏則
信州大学教育学部
-
干川 圭吾
信州大学教育学部
-
干川 圭吾
信州大学教育学部教育実践研究指導センター
-
黄 新明
Ja Solar Holdings Co. Ltd.
-
黄 新明
信大教
-
干川 圭吾
信大教
-
王 鉄峰
信州大・教育
-
太子 敏則
信大工
-
王 鉄峰
信大教
-
干川 圭吾
信州大
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