ブリッジマン法(ことばの泉)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
モリブデン酸カルシウム結晶の塩化ナトリウムフラックス成長 : 溶液成長I
-
「バルク結晶成長の新しいアプローチ」小特集にあたって( バルク結晶成長の新しいアプローチ)
-
ネオジムを含むモリブデン酸カルシウム薄膜結晶の液相エピタキシャル成長
-
美術鑑賞学習教材の開発
-
美術鑑賞学習教材の開発
-
19aB06 垂直ブリッジマン法によるランガテイト単結晶の育成と電気的特性の評価(機能性結晶(2),第35回結晶成長国内会議)
-
垂直ブリッジマン法により育成したランガサイト単結晶の電気的特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
-
垂直ブリッジマン法により育成したランガサイト単結晶の電気的特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
-
垂直ブリッジマン法により育成したランガサイト単結晶の電気的特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
-
26aD02 垂直ブリッジマン法による還元雰囲気下でのランガサイト単結晶の育成(機能性結晶(1),第34回結晶成長国内会議)
-
SPring-8におけるCZ-Si結晶中の転位の伝播挙動と三次元構造評価(半導体結晶成長III)
-
Si単結晶インゴットのX線トポグラフィ : バルク結晶成長III
-
垂直ブリッジマン法により育成したニオブ酸カリウム結晶の圧電特性(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
-
垂直ブリッジマン法により育成したニオブ酸カリウム結晶の圧電特性(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
-
垂直ブリッジマン法により育成したニオブ酸カリウム結晶の圧電特性(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
-
石英るつぼからシリコン融液に混入する酸素の動的挙動に関する数値解析 : バルク成長II
-
酸素偏析の検討におけるSi-SiO_2-SiO平衡系でのシリコン結晶成長 : 融液物性I
-
パソコン通信の情報処理教育への活用
-
情報化社会を支えるコンピュータ技術
-
燃料電池システム教材の開発と授業実践
-
「風力発電を用いたクリーンエネルギーに関する授業実践」
-
技術・家庭科電気領域の「太陽電池」に関する授業実践(2)
-
技術・家庭科電気領域における「太陽電池」に関する授業実践
-
小・中・高校、大学におけるパソコン通信利用
-
EFG 法ルチル単結晶の不安定成長(「融液成長における不安定性」)
-
27aA6 EFG法によるルチル単結晶の成長(バルク結晶成長シンポジウムI)(バルク結晶成長シンポジウム : バルク単結晶の新しい融液成長技術)
-
酸化物結晶作成時における結晶内熱移動現象 : 結晶の色と結晶成長特性 : バルク成長シンポジュウムI
-
EFG法による板状TiO_2単結晶の成長 : 融液成長I
-
無ネッキング無転位CZ-Si詰晶成長の種子づけ条件の検討 : バルク結晶成長III
-
無ネッキング無転位CZ-Si結晶成長 : バルク成長I
-
25aA03 石英るつぼとシリコン融液の界面反応 : バリウムドーピング効果(バルク,第34回結晶成長国内会議)
-
石英るつぼとシリコン融液の界面反応 : バリウムドーピング効果
-
ACRT垂直ブリッジマン法によるランガサイト単結晶の育成 : バルク成長I
-
Ga添加CZ-Si結晶育成(半導体結晶成長III)
-
22aA3 CZ-Si成長用石英るつぼ中気泡の挙動その場観察(バルク成長I)
-
シリコン融液表面のアルゴンガス流れと単結晶中の酸素濃度(バルク成長分科会特集 : 結晶成長時における気液界面の物質移動と結晶に与える影響)
-
ブリッジマン法(ことばの泉)
-
無ネック無転位シリコン単結晶成長(最新のブレークスルーとなった成長技術)
-
細いネック部を形成しない無転位CZ-Si結晶成長(バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)
-
CZ-Si結晶成長における高濃度B添加種子/低濃度B添加成長結晶界面のミスフィット転位の抑制機構 : バルク成長シンポジウム
-
シリコン融液との反応による石英ガラス表面 : バルク成長II
-
CZ-Si結晶成長における成長界面近傍温度の勾配 : バルク成長I
-
Development of a Sessile Drop Method Concerning Czochralski Si Crystal Growth
-
Expansion Behavior of Bubbles in Silica Glass Concerning Czochralski (CZ) Si Growth
-
Dislocation-Free Czochralski Silicon Crystal Growth without the Dislocation-Elimination-Necking Process
-
るつぼ封止VB法によるニオブ酸カリウム結晶の一方向凝固(機能性結晶IV)
-
大きな濃度差を持つ固液界面での不純物拡散数値解析(半導体結晶成長III)
-
31aYG-10 p 型シリコン結晶の電子照射誘起点欠陥による光吸収
-
Dislocation-Free Czochralski Silicon Crystal Growth without Dash Necking
-
In Situ Observation of the Interfacial Phase Formation at Si Melt/Silica Glass Interface
-
Dislocation-Free Czochralski Si Crystal Growth without the Dash-Necking Process : Growth from Undoped Si Melt
-
Heavily Boron-Doped Silicon Single Crystal Growth:Constitutional Supercooling
-
Heavily Boron-Doped Silicon Single Crystal Growth: Boron Segregation
-
CZ-Si結晶成長における石英の溶解および酸素の偏析(シリコン結晶成長における酸素輸送と欠陥制御)
-
シリコン結晶育成用るつぼに用いるシリカガラス中の気泡の挙動
-
22aA4 高濃度B添加CZ-Si結晶成長(バルク成長I)
-
22aA2 ボロン添加シリコン融液と石英ガラスとの反応その場観察(バルク成長I)
-
高濃度ボロン添加シリコン結晶成長
-
高濃度ボロン添加シリコン結晶成長
-
高濃度ボロン添加シリコン結晶成長
-
シリコンドロップ内の熱・物質移動現象 : 融液物性I
-
22pYS-6 高濃度B添加Si結晶中の転位の運動特性
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク