酸素偏析の検討におけるSi-SiO_2-SiO平衡系でのシリコン結晶成長 : 融液物性I
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概要
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In order to investigate the equilibrium segregation coefficient of oxygen concerning Czochralski Si crystal growth, single silicon crystals were grown under an equilibrium condition of Si-Si02-SiO system in a closed silica ampule. The oxygen concentration of the grown silicon crystal was 1.7±0.1(x10^<18> atoms/cm^3), which almost did not depend on the solidification fraction. The equilibrium oxygen segregation coefficient was, then, determined to be about 0.8±0.1
- 日本結晶成長学会の論文
- 1998-07-01
著者
-
中澤 達夫
国立長野高専
-
中澤 達夫
長野高専
-
干川 圭吾
信州大学教育学部教育実践研究指導センター
-
黄 新明
Ja Solar Holdings Co. Ltd.
-
黄 新明
信大・教育
-
干川 圭吾
信大・教育
-
干川 圭吾
信州大
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