オールプラスチック有機電界効果トランジスタの作成とその性能評価と改善
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概要
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有機のフレキシブルを生かすためpolyehylenenaphthalate (PEN)基板を用い有機電界効果トランジスタを作成した。半導体層にはPoly(3-hexylthiophene)(P3HT)を用い、ゲート絶縁膜にPoly-4-vinylphenol(PVP)を用いた。半導体層をスピンコート膜で作成したOFETの移動度は4.0×10^<-4>cm^2/Vs、閾値電圧は-13Vであった。一方、キャスト膜で作成したOFETの移動度は2.0×10^<-2>cm^2/Vs、閾値電圧は-2Vであった。キャスト膜で作成したOFETはスピンコート膜で作成されたOFETに比し、キャリア移動度が50倍高くなる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-01-19
著者
-
落合 鎮康
愛知工業大学
-
大橋 朝夫
愛知工業大学
-
小嶋 憲三
愛知工業大学
-
水谷 照吉
愛知工業大学電気工学科
-
大橋 朝夫
愛知工業大学 電気学科
-
内田 悦行
愛知工業大学工学部電気学科
-
内田 悦行
愛知工業大学
-
澤 五郎
愛知工業大学電気学科
-
澤 五郎
愛知工業大学電気工学専攻
-
内田 悦行
愛知工業大学工学部電気工学科情報通信工学専攻
-
山本 浩二
愛知工業大学
-
内田 悦行
愛知工大
-
澤 五郎
愛知工業大学電気工学科
-
大橋 朝夫
愛知工業大学工学部電気工学科
-
澤 五郎
愛知工業大学
-
水谷 照吉
愛知工業大学
-
落合 鎮康
愛知工業大学工学部
-
落合 鎮康
愛知工業大学工学部電気工学科
-
水谷 照吉
愛知工業大
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