KBr基板上に作成されたバナジルフタロシアニン単結晶膜の成長過程、成長機構、非線形光学特性(有機エレクトロニクス・一般)
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概要
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KBr(100)基板上に異なる基板予備加熱温度でバナジルフタロシアニン(VOPc)薄膜を作成した。作成されたVOPc薄膜の成長過程、成長機構、非線形光学特性が可視・紫外光(Vis/UV)吸収スペクトル、走査型電子顕微鏡(SEM)像、メーカー・フリンジ法で測定された第2次高調波(SH)、第3次高調波(TH)強度の入射角依存性から検討された。25℃の基板予備加熱温度で作成されたVOPc薄膜では、多数の微結晶が観察された。200℃の基板予備加熱温度で作成されたVOPc薄膜では、微結晶の数が減少し、大きな単結晶が観察された。基板予備加熱温度の上昇により、基板上の結晶の核となる吸着分子が除去されることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-13
著者
-
落合 鎮康
愛知工業大学
-
大橋 朝夫
愛知工業大学
-
小嶋 憲三
愛知工業大学
-
中野 寛之
愛知工業大学 工学部 電気学科
-
中野 寛之
愛知工業大学
-
中野 寛之
愛知工業大学工学部電気学科
-
内田 悦行
愛知工業大学工学部電気学科
-
内田 悦行
愛知工業大学
-
澤 五郎
愛知工業大学電気学科
-
澤 五郎
愛知工業大学電気工学専攻
-
南川 亜有美
愛知工業大学大学院 工学研究科 電気電子工学専攻
-
内田 悦行
愛知工大
-
澤 五郎
愛知工業大学電気工学科
-
大橋 朝夫
愛知工業大学工学部電気工学科
-
澤 五郎
愛知工業大学
-
落合 鎮康
愛知工業大学工学部
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