分子線エピタキシー法によるバナジルフタロシアニン単結晶膜成長の基板温度依存性
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概要
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MBE法によるバナジルフタロシアニン(VOPc)結晶の作製とその形態評価を行うとともに単結晶の大面積化の条件を検討した。熱安定性に優れたVOPc結晶のX線回折、走査型電子顕微鏡、原子間力顕微鏡による結晶構造の評価、FT-IRスペクトル、紫外・可視吸収スペクトル測定から、所定の条件で作製された結晶膜がエピタキシャル成長していることを示し。また、結晶サイズについては、1×1×0.1μmの結晶作製に成功した。
- 1997-05-22
著者
-
前田 昭徳
愛知工業大学
-
落合 鎮康
愛知工業大学
-
大橋 朝夫
愛知工業大学
-
小嶋 憲三
愛知工業大学
-
水谷 照吉
名古屋大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
吉川 俊夫
愛知工業大学総合技術研究所
-
内田 悦行
愛知工業大学
-
古橋 秀夫
愛知工業大学 電気学科 情報通信工学専攻
-
古橋 秀夫
愛知工大
-
前田 昭徳
愛知工業大学 工学部 電気工学科
-
家田 正之
愛知工業大学電気工学科
-
水谷 照吉
愛知工業大学
-
落合 鎮康
愛知工業大学工学部
-
水谷 照吉
名古屋大学
-
家田 正之
愛知工業大学
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