MBE法によりKBr基板上に作製されたバナジルフタロシアニン単結晶とそのSHGとTHG
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概要
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分子線エピタキシ(MBE)装置により2次, 3次非線形光学定数の大きいバナジルフタロシアニン(VOPc)単結晶をKBr基板上に作製し, その結晶評価及び単結晶の大形化とその非線形光学性を検討した. RHEED, SEM, UV/VISスペクトルによりVOPc単結晶の結晶構造の評価, メーカフリンジ法により非線形光学性が検討された. KBr基板上に作製されたVOPc薄膜が所定の基板温度条件でエピタキシャル成長していることを示した. KBr基板上に作製されたVOPc単結晶のサイズについては, 5×5×0.1(μm)^3の単結晶作製に成功している. Nd・YAGレーザを用いたメーカフリンジ法により, P偏光入射ビームを用いたVOPc単結晶の2次非線形光学強度を測定し, Yカット水晶板の約20倍程度の非線形光学強度を観測した. P偏光入射ビームを用いたバナジルフタロシアニン単結晶の3次の非線形光学定数x^<(3)>については, Fangら[14]の測定した値に比し約3倍になることを示した.
- 1999-04-25
著者
-
前田 昭徳
愛知工業大学
-
落合 鎮康
愛知工業大学
-
大橋 朝夫
愛知工業大学
-
小嶋 憲三
愛知工業大学
-
水谷 照吉
名古屋大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
内田 悦行
愛知工業大学工学部電気学科
-
吉川 俊夫
愛知工業大学総合技術研究所
-
内田 悦行
愛知工業大学
-
古橋 秀夫
愛知工業大学情報通信工学専攻
-
古橋 秀夫
愛知工業大学 電気学科 情報通信工学専攻
-
古橋 秀夫
愛知工大
-
前田 昭徳
愛知工業大学 工学部 電気工学科
-
奥村 典弘
愛知工業大学大学院
-
家田 正之
愛知工業大学電気工学科
-
大橋 朝夫
愛知工業大学工学部電気工学科
-
奥村 典弘
愛知工業大学電気工学科
-
水谷 照吉
愛知工業大学
-
落合 鎮康
愛知工業大学工学部
-
水谷 照吉
名古屋大学
-
家田 正之
愛知工業大学
-
吉川 俊夫
愛知工業大学 総合技術研究所
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