MBE法により各種基板上に作製されたVOPc薄膜の形態評価
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概要
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分子線エピタキシー装置を用いて作製された薄膜の分子の配列および配向性の制御と結晶の大面積化の条件を検討した. 具体的には, 分子線エピタキシー装置により配列および配向制御が比較的容易で, 二次, 三次非線形光学定数の大きいフタロシアニン誘導体を用い非線形光学薄膜の作製とその形態評価および薄膜の大面積化を試みた. 熱安定性に優れた有機非線形光学性材料のフタロシアニン蒸着薄膜の配向, 配列をX線回折, 走査型電子顕微鏡(SEM), 原子間力顕微鏡(AFM)による結晶構造の評価, 紫外・可視吸収スペクトル(UV/VIS)測定から, 所定の条件で作製された薄膜がエピタキシャル成長していることを示した. 膜のサイズについては, 2×2×0.5μmの結晶作製に成功している.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-28
著者
-
前田 昭徳
愛知工業大学
-
落合 鎮康
愛知工業大学
-
大橋 朝夫
愛知工業大学
-
小嶋 憲三
愛知工業大学
-
水谷 照吉
名古屋大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
内田 悦行
愛知工業大学工学部電気学科
-
吉川 俊夫
愛知工業大学総合技術研究所
-
内田 悦行
愛知工業大学
-
古橋 秀夫
愛知工業大学情報通信工学専攻
-
古橋 秀夫
愛知工業大学 電気学科 情報通信工学専攻
-
川島 早由里
愛知工業大学
-
古橋 秀夫
愛知工大
-
前田 昭徳
愛知工業大学 工学部 電気工学科
-
家田 正之
愛知工業大学電気工学科
-
武田 仁志
愛知工業大学
-
朱 留存
愛知工業大学
-
水谷 照吉
愛知工業大学
-
朱 留存
中国揚州大学工学院
-
水谷 照吉
名古屋大学
-
家田 正之
愛知工業大学
-
吉川 俊夫
愛知工業大学 総合技術研究所
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