Au(111)面基板上に作成されたフタロシアニン薄膜の配向とフタロシアニン分子構造(有機エレクトロニクス・一般)
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概要
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真空蒸着法(VD)により、Au(111)面基板上にバナジルフタロシアニン(VOPc)薄膜および銅フタロシアニン(CuPc)薄膜を作成した。可視・紫外光電分光光度計(Vis/UVスペクトル)、X線回折装置(XRD)によりVOPc薄膜およびCuPc薄膜の相形態、分子の配向を検討した。また、X線光電子分光(XPS)法によりAu(111)表面の吸着分子を解析した。基板温度200℃でAu(111)面基板上に堆積されたVOPc分子は、Au(111)面に平行配向した。他方、Au(111)面基板上に堆積されたCuPc分子は、同じ堆積条件下でAu(111)面基板上に垂直配向した。これらは、VOPc分子に比し、Au(111)面基板とCuPc分子との相互作用が小さい及び分子形状に強く依存することを示唆する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-13
著者
-
落合 鎮康
愛知工業大学
-
大橋 朝夫
愛知工業大学
-
小嶋 憲三
愛知工業大学
-
内田 悦行
愛知工業大学工学部電気学科
-
内田 悦行
愛知工業大学
-
澤 五郎
愛知工業大学電気学科
-
澤 五郎
愛知工業大学電気工学専攻
-
金 永龍
愛知工業大学電気工学科
-
内田 悦行
愛知工大
-
澤 五郎
愛知工業大学電気工学科
-
大橋 朝夫
愛知工業大学工学部電気工学科
-
澤 五郎
愛知工業大学
-
濱口 裕功
愛知工業大学電気工学科
-
落合 鎮康
愛知工業大学工学部
-
金 永龍
愛知工業大学電気学科
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