山崎 順 | 名古屋大学理工科学総合研究センター
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概要
関連著者
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山崎 順
名古屋大学理工科学総合研究センター
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Takeda Shingo
Faculty Of Science Himeji Institute Of Technology
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竹田 精治
大阪大学・大学院理学研究科
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竹田 精治
阪大院理
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竹田 精治
阪大院・理
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山崎 順
阪大院理
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山崎 順
阪大院・理
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大野 裕
阪大院理
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Ohno Y
Jst‐presto Saitama Jpn
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Ohno Yoshikazu
Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation
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津田 健治
東北大科研
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竹田 精治
阪大理物
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竹田 精治
阪大理学研究科
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山崎 順
阪大基礎工
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米永 一郎
東北大金研
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Takeda Shingo
Graduate School Of Science Himeji Inst. Of Tech.
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竹田 精治
阪大・教養
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尾崎 信彦
筑波大院 数理物質科学研究科
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Tsuda Kenji
Fujitsu Ltd.
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尾崎 信彦
阪大院理
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木村 能章
蛋白工研
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竹田 精治
大阪大学大学院理学研究科
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河野 日出夫
大阪大学大学院理学研究科
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香山 正憲
大工試
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河野 日出夫
阪大院理
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山崎 順
名古屋大学エコトピア科学研究機構工学研究科
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木村 能章
生物分子工研・構造解析
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山崎 順
名大院・工
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丹原 匡彦
阪大院理
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濱田 大介
阪大院理
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白浜 晃一
阪大院理
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新居 信弘
阪大理
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山崎 順
名古屋大学エコトピア科学研究所
著作論文
- 電子照射によるシリコンのアモルファス化とその素過程
- 19aTG-7 シリコンにおける照射誘起アモルファス化の温度依存性
- 28pYQ-10 シリコン表面ナノホールのSTM観察
- 23aYP-8 シリコンにおけるアモルファス化の素過程
- 24pPSA-63 シリコン表面上の電子線照射誘起欠陥のSTM観察
- 23pTA-9 シリコン表面ナノホールの形成機構
- 25aT-9 シリコンナノホールの極低温での生成過程
- 25aN-14 シリコンの電子照射アモルファス化を用いたフォトニック結晶
- 25aYL-2 シリコンにおける低温電子照射誘起の欠陥の構造と熱的安定性
- 25aYL-1 電子照射で生成されたアモルファス・シリコンの構造物性
- 28p-ZA-11 シリコンにおける電子線照射効果の低温(4K)その場高分解能TEM観察
- 28p-ZA-10 シリコンおける電子線照射誘起の非晶質化
- 26a-T-3 シリコンの低温での電子線照射効果
- 7a-S-9 シリコン結晶における自己格子間原子クラスター構造とその生成機構
- 6a-S-4 Si-Ge混晶の電子線低温照射欠陥
- 30p-E-8 Si-Ge混晶における電子線照射欠陥