米永 一郎 | 東北大・金研
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概要
関連著者
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米永 一郎
東北大・金研
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米永 一郎
東北大金研
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角野 浩二
東北大・金研
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中村 浩章
核融合研
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山口 作太郎
核融合研
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池田 一昭
総研大
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米永 一郎
東北大
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池田 一昭
理研
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末澤 正志
東北大・金研
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米永 一郎
東北大金属材料研究所
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大野 裕
東北大金研
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福田 承生
東北大・金研
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西谷 滋人
関西学院大理工
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末澤 正志
東北大金研
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西谷 滋人
関西学院大学理工学部情報科学科
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干川 圭吾
信州大学
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角野 浩二
新日鐵・技術開発
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大野 裕
阪大院理
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大野 裕
東北大学金属材料研究所
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岡野 泰則
東北大・金研
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Ohno Y
Jst‐presto Saitama Jpn
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松本 文夫
東北大・金研
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干川 圭吾
信州大・教育
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Ohno Y
Nagoya Univ. Naogya Jpn
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Ohno Yoshikazu
Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation
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Okamoto Yasunori
Research And Headquarters Kubota Corporation
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Okano Y
Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn
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大野 裕
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
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Okigawa Yuki
Graduate School Of Engineering Nagoya University
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西谷 滋人
関西学院大・理工
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谷口 僚
関西学院大・理工
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大野 裕
東北大・金研
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簑和 恭子
東北大・金研
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アッペル F
東北大・金研
著作論文
- 1p-M-8 GeSiの強度特性
- 26a-YE-11 常温付近での磁場中のGeおよびSiのネルンスト係数の理論計算
- 2a-YJ-13 強磁場中におけるSiのネルンスト係数および熱電能
- 2a-YJ-12 強磁場中におけるGeのネルンスト係数および熱電能
- 2a-YJ-11 常温付近での磁場中の輸送係数の理論計算
- 29aA15 LE-VB法によるInp単結晶の作成と転位の評価(融液成長V)
- 19pXB-3 シリコン結晶中の単原子空孔 : 後藤らの論文へのコメント(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 7a-S-2 GaAs結晶中のZ型転位双極子の高分解能顕微鏡観察
- 29a-E-11 GeSiの強度特性-III
- GeSiの強度特性-II
- 25p-H-9 III-V化合物半導体における転位の運動
- 4a-Z-4 GaAs結晶中の転位のX線トポグラフ観察
- 30a-F-7 InP結晶の強度と転位の動特性
- 4p-A3-1 不純物を固溶するGaAs結晶中の転位の動的挙動と機械的性質
- 27p-K-7 不純物を固溶するGaAs結晶中の転位の動的挙動
- 2p-G-6 定応力負荷速度下でのSi結晶の塑性変形挙動
- 22aGQ-4 第一原理計算によるSi中のCu析出物の相安定性(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-6 不純物添加シリコン結晶中の原子空孔の形成エネルギー(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 2p-M2-6 転位の発生挙動(格子欠陥)