福田 承生 | 東北大・金研
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概要
関連著者
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福田 承生
東北大・金研
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岡野 泰則
東北大・金研
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福田 承生
東北大学 多元物質科学研究所
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Fukuda T
Gunma Univ. Gunma Jpn
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宍戸 統悦
東北大・金研
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干川 圭吾
信州大学
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島村 清史
東北大・金研
-
干川 圭吾
東北大・金研
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Fukuda Tsuguo
Optoelectronics Joint-research Laboratory
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Fukuda T
National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Hokkaido Center Sapporo Jpn
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Fukuda T
Matsushita Communication Industrial Co. Ltd. Yokohama Jpn
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Okano Y
Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn
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島村 清史
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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武田 博明
東北大・金研
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吉川 彰
東北大学多元物質科学研究所
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吉川 彰
東北大・金研
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島村 清史
NIMS
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Yoshikawa Akira
Ntt Lsi Laboratories
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松本 文夫
東北大・金研
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田中 雅彦
高エネ研・放射光
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堀内 弘之
東大・理
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齊藤 晃宏
東大・理
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堀内 弘之
東大・理・鉱物
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米永 一郎
東北大金研
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武田 博明
奈良先端科学技術大学院大
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加藤 友彦
東北大・金研
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Durand A.
東北大・金研
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Lebbou K.
東北大・金研
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Chani V.
東北大・金研
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長谷川 健治
東北大・金研
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Durbin S.D.
東北大・金研
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Epelbaun B.M.
エルランゲン大
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和久 芳春
(株)超高温材料研究所
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川口 竜生
日本ガイシ(株)応用研究所
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水内 公典
松下電器産業(株)光ディスク開発センター
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山本 和久
松下電器産業(株)光ディスク開発センター
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吉野 隆史
日本ガイシ(株)応用研究所
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今枝 美能留
日本ガイシ(株)応用研究所
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米永 一郎
東北大・金研
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山本 和久
パナソニック
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山本 和久
松下電器産業(株)avコア技術開発センター
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中川 武志
金沢大・理
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宇田 聡
三菱マテリアル(株)電子デバイス開発センター
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春日 正伸
山梨大大学院
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春日 正伸
山梨大・工
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吉野 隆史
日本ガイシ(株)r&dセンターopプロジェクト
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川口 竜生
日本ガイシ(株)r&dセンターopプロジェクト
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水内 公典
パナソニック四国エレクトロニクス(株)デバイスプロダクツビジネスユニット
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水内 公典
松下電器産業(株)avコア技術開発センター
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今枝 美能留
日本ガイシ(株)
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今枝 美能留
日本ガイシ(株)r&dセンターopプロジェクト
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今枝 美能留
日本ガイシ株式会社
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中野 憲司
東北大・金研
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渡辺 洋右
東北大・金研
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町田 博
Necトーキン
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坂本 勝
(株)日鉱共石新材料研究所
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菅 伸治
ダイソー(株)研究所
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山本 和久
松下電器産業
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Epelbaum B.m.
エルランゲン大
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小玉 展宏
東ソー
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辻 陽一
東北大・金研
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川崎 克己
東北大・金研
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菅 伸治
東北大・金研
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坂本 勝
東北大・金研
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佐々木 聡
高工研
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今 純一
東北大学金研
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干川 圭吾
信州大・教育
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原 慎一
東ソー
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松本 〓生
金沢大・理
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宮澤 信太郎
早大
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町田 博
秩父小野田株式会社
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山田 典章
東北大・金研
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町田 博
東北大・金研
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YOON D.H.
東北大・金研
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高 漢俊
東北大・金研
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今 純一
東北大・金研
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山田 透
信越化学(株)
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Schaer N
東北大・金研
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宇田 聡
東北大・金研
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池谷 智則
東北大・金研
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山田 典章
(株)日本製鋼所中央研究所
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雲山 賢一
山梨大・工
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天野 正弥
山梨大・工
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和田 博之
東北大・金研
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宮澤 信太郎
NTT・LSI研
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小玉 展宏
秋田大学工学資源学部
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武田 弘
東大・理
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アレキサンダー デュランド
東北大・金研
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大橋 晴夫
無機材研
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野嶋 茂樹
東大・理・鉱物
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遠藤 信次
東北大・金研
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田賀井 篤平
東大・理
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Dannon J
東大・理
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請井 一利
東北大・金研
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齊藤 晃宏
東大・理・鉱物
著作論文
- 新しい置換型ランガサイト系圧電結晶の作成と評価 : バルク成長II
- 23pA3 Study of ternary equilibrium diagram for crystal growth : the Na_20/Er_O/GeO_2 system
- 23aA5 YAG/sapphire共晶体ファイバーの結晶成長と共晶相の安定成長方位の選択配向性(バルク成長III)
- 液相エピタキシャル成長LiNbO_3薄膜によるQPM-SHGデバイスの作製
- 22aA9 Colquiriite型フッ化物LiAEAIF_6(AE=Ca,Sr)の単結晶成長と結晶性評価(バルク成長II)
- FeドープLN単結晶の均一性 : 評価
- Cz法によるCe,Na:LiCaAlF_6単結晶の作成と評価 : バルク成長V
- 29aA15 LE-VB法によるInp単結晶の作成と転位の評価(融液成長V)
- LE-VB法によるInP単結晶の育成 : 融液成長IV
- CZ法によるAl_2O_3単結晶の作成 : 融液成長II
- LiTaO_3単結晶育成に及ぼす熱移動と制御 : 融液成長I
- μ-PD法によるSi_xGe_ fiber crystalの作成及び偏析現象 : 半導体液相成長II
- Cz法によるDyAlO_3単結晶作成 : 融液成長III
- 磁場中で運動する導体の電流分布測定II : 融液成長II
- Bi_TiO_単結晶の育成と評価 : 融液成長II
- LuGaO3の結晶構造解析と一連のRGaO3 (R: 希土類元素) の構造との関係
- K (Nb0.5, M0.5) OAsO4; [M=Al, Ga, In] の結晶構造
- タイトル無し
- タイトル無し
- タイトル無し
- タイトル無し
- CeMO_3(M=Al,Ga) ; 合成条件による相安定関係