2p-M2-6 転位の発生挙動(格子欠陥)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
1p-M-8 GeSiの強度特性
-
29p-YC-10 ゲルマニウムを添加した砒化ガリウムの励起スペクトル
-
29p-YC-9 変形したSiGe混晶のフォトルミネッセンス
-
28p-P-13 シリコンを高濃度添加した砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
-
28p-P-4 FZ_Siにおける電子線照射欠陥の回復機構
-
12p-DK-12 熱処理したボロン添加砒化ガリウムの光励起及び熱回復
-
26a-YE-11 常温付近での磁場中のGeおよびSiのネルンスト係数の理論計算
-
2a-YJ-13 強磁場中におけるSiのネルンスト係数および熱電能
-
2a-YJ-12 強磁場中におけるGeのネルンスト係数および熱電能
-
2a-YJ-11 常温付近での磁場中の輸送係数の理論計算
-
29aA15 LE-VB法によるInp単結晶の作成と転位の評価(融液成長V)
-
4p-Z-6 変形したInP中の陽電子消滅
-
4a-KL-3 シリコン結晶中での転位と双晶との相互作用
-
2p-C-2 変形したSi中に存在する拡張転位障壁のHVEM格子像による同定
-
31p-BB-12 Si中拡張転位の運動
-
5p-D-11 ビスマス中の双晶による内部摩擦
-
12a-N-12 双晶変形を受けたビスマスの内部摩擦
-
1a-TA-5 変形したゲルマニウム結晶の熱抵抗
-
29a-RC-11 GaAs中の転位と非発光中心の相互作用 : カソールドルミネッセンスによる研究
-
19pXB-3 シリコン結晶中の単原子空孔 : 後藤らの論文へのコメント(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
7a-S-2 GaAs結晶中のZ型転位双極子の高分解能顕微鏡観察
-
29a-E-11 GeSiの強度特性-III
-
GeSiの強度特性-II
-
25p-H-9 III-V化合物半導体における転位の運動
-
4a-Z-4 GaAs結晶中の転位のX線トポグラフ観察
-
30a-F-7 InP結晶の強度と転位の動特性
-
4p-A3-1 不純物を固溶するGaAs結晶中の転位の動的挙動と機械的性質
-
27p-K-7 不純物を固溶するGaAs結晶中の転位の動的挙動
-
2p-G-6 定応力負荷速度下でのSi結晶の塑性変形挙動
-
3a GJ-8 ゲルマニウム中のらせん転位の易動度
-
31p-BB-18 ゲルマニウム中の転位の易動度
-
11p-N-9 ゲルマニウム単結晶中の転移の易動度
-
22aGQ-4 第一原理計算によるSi中のCu析出物の相安定性(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
-
22aGQ-6 不純物添加シリコン結晶中の原子空孔の形成エネルギー(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
-
2p-NJ-6 変形したシリコンのフォトルミネッセンス II
-
2a-C-13 変形したSiのフォトルミネッセンス
-
24a-T-6 砒化ガリウム中のドナー・アクセプター対による発光
-
2p-M2-6 転位の発生挙動(格子欠陥)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク