7aSK-3 SiGe混晶における電子線照射誘起の拡張欠陥(格子欠陥・ナノ構造,領域10)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2002-08-13

著者

• 香山 正憲

  産総研関西

• 吉川 純

  阪大院理

• 竹田 精治

  阪大院理

• 大野 裕

  阪大院理

• 香山 正憲

  産総研関西セ

関連論文

• 237 マグネシウムの積層欠陥エネルギーに対する溶質元素の影響の第一原理計算
• 27pYG-5 高分解能イオン散乱と第1原理計算によるNiAl(110)表面の構造・ダイナミクスの解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aYN-4 シリコン・ナノワイヤーの価電子励起過程のTEM-EELS分析(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 26pYH-2 電気的ブレイクダウンによるシリコンナノチェイン/カーボンナノチューブ変換(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pWA-10 SiCナノワイヤにおける積層シーケンスの統計的性質(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pPSB-2 コンペイトウ型SiC粒子の生成 : ナノワイヤ成長からの遷移(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aPS-59 超流動ヘリウム中におけるZnOナノ微粒子の作製(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 25aYC-5 ナノ領域に選択成長させた触媒からのナノワイヤ生成(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aZD-9 成長中光照射によるZnSe擬似格子整合膜の構造変化(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aPS-111 合金触媒を用いたシリコンナノワイヤー成長(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 28pXM-2 SiCナノワイヤーの電子線ホログラフィー(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• 22aXA-3 SiC 一次元ナノ構造の内部ポテンシャル
• 21aYE-4 ヘテロ接合ナノワイヤの内部ポテンシャル測定
• 22pPSA-39 個々のナノチェインの電気的ブレイクダウン(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pXC-2 VLS成長によるシリコンナノワイヤーの臨界直径(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 13pTJ-11 TEM-CL 法による双晶面が存在する AlGaAs の光学特性の評価(電子線, 領域 10)
• 15aPS-25 荒れた表面における吸着原子の表面拡散係数(領域 9)
• 12aXG-12 触媒 CVD 法によるシリコンナノワイヤー成長初期過程の定量解析(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 28aRF-10 金属,合金の弾性定数の温度依存性の計算(28aRF 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-1 金属,合金の弾性定数の温度依存性の計算(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aYF-3 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算IV(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pTA-14 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算III(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24aYK-3 有機ガスの電子エネルギー損失分光(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 15pXE-5 TiO_2(110) 表面上に吸着した貴金属の電子状態(表面界面電子物性, 領域 9)
• 26aWZ-4 P添加Si中の転位構造(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 27pRB-2 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の構造安定性に関する酸素分圧効果(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-5 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の原子・電子構造(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 805 金属粒界の機械的性質の第一原理計算 : エネルギー密度と応力密度による解析(OS08.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(2))
• 1401 アルミナ/金属界面の機械的性質の第一原理計算と原子間ポテンシャルの検討(キーノート講演,OS-14A 電子・原子・マルチスケールシミュレーションに基づく材料特性評価(第一原理計算),OS-14 電子・原子・マルチスケールシミュレーションに基づく材料特性評価)
• 31aYG-8 Si 中の転位の原子・電子構造の第一原理計算 : 30°部分転位芯
• 23aYH-5 TiO_2(110)表面上Auナノ微粒子の電子状態(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYB-2 NiO(001)およびTiO_2(110)表面における金ナノ微粒子の成長過程とその電子状態(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pXF-7 NiO(001)単結晶上における金属微粒子の成長初期過程(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aYK-5 カーボンナノチューブ生成における不純物添加効果の環境制御型TEMによる解析(格子欠陥・ナノ構造(炭素),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28pYH-7 Pt/CeO_2触媒のガス中環境TEM観察(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pWA-9 Au/CeO_2触媒の反応ガス中高分解能・環境TEM観察(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-8 CO雰囲気下でのAu/TiO_2触媒の高分解能その場環境TEM観察(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22aTD-9 シリコンナノチェイン電気伝導の非ガウスゆらぎ(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22pPSA-2 MOCVD法によるSiCナノ構造生成(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aTG-7 カーボンナノチューブ生成における合金触媒の電子顕微鏡観察(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-61 マイクロマニピュレータを用いた半導体ナノニードルの電気伝導特性の測定(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pYH-7 シリコンナノチェインの高電圧印加電気伝導(26pYH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-110 シリコンナノニードルをテンプレートとしたシリコン/鉄シリサイドヘテロ接合の形成(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 28aXT-5 ラフネスを導入したSi表面上におけるAu原子の拡散(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 20pYD-5 電子線照射した Si(100) 表面上での吸着原子の拡散と集合
• 28pPSB-44 Si 表面ナノホールが存在する表面での Au 集合体の形成
• 18aRJ-4 環境制御型透過電子顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ成長その場観察(ナノチューブ・構造・物性,領域7,分子性固体・有機導体)
• 12aXG-13 成長雰囲気中における SWNT の TEM 像シミュレーション(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 29pPSA-63 ナノワイヤ成長にみられる複雑な直径変動(領域11ポスターセッション)
• 28pPSB-67 SiC bamboo 構造の電子構造
• 28pYQ-10 シリコン表面ナノホールのSTM観察
• 24pPSA-63 シリコン表面上の電子線照射誘起欠陥のSTM観察
• 23pTA-9 シリコン表面ナノホールの形成機構
• 25aT-9 シリコンナノホールの極低温での生成過程
• 28p-ZA-11 シリコンにおける電子線照射効果の低温(4K)その場高分解能TEM観察
• 26a-T-3 シリコンの低温での電子線照射効果
• 625 アルミナ/銅界面の機械的性質のシミュレーション : 第一原理計算と原子間ポテンシャル構築の試み
• 17aTG-5 ZnSe薄膜中のV字型積層欠陥の構造
• 31aZF-7 シリコンナノ結晶チェーンの電気伝導特性
• 802 マグネシウムにおける第一原理計算による GSF エネルギーとパイエルス応力
• 401 マグネシウムのすべり変形における第一原理的評価(OS05-1 第一原理解析)(OS05 電子・原子シミュレーションに基づく材料特性評価)
• K-0102 第一原理計算による炭化ケイ素粒界の強度と破壊の研究(J01-1 第一原理強度解析)(J01 第一原理計算・分子動力学法による材料強度評価)
• 31aYG-7 シリコン {113} 面欠陥の plan-view 高分解能電子顕微鏡観察
• 28pXH-5 ZnSeナノワイヤーの結晶成長機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 28pPSB-66 水素終端シリコン表面テンプレート上におけるナノ触媒の形成過程
• 18aWD-9 金蒸着Si(111)水素終端面の高温STM観察
• 29pPSA-27 Si(111)水素終端表面上に蒸着された金クラスターのSTM観察
• 20aXF-9 Ab Initio Calculations for Metal-Polymer Interfaces
• 28a-T-7 シリコン(111)面上に生成したシリコン・ナノウィスカーの構造
• 30a-YK-2 シリコン(111)表面上でのシリコン・ナノウィスカーの生成
• 29pPSA-29 セルフイオン照射Si結晶の断面STM観察
• 30p-Q-9 シリコン及びゲルマニウムにおける表面ナノホールの生成条件
• 20aPS-4 MBE 法による ZnSe ナノホイスカーの成長
• 20pXA-7 金シリサイド液滴形成条件下にある表面の高温 STM 観察
• 19pXC-4 環境制御型TEMの新しい可能性(シンポジウム 最新電子顕微鏡法を使った物性研究のいぶき,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 27pYC-10 シリコン表面ナノホールのexcavationメカニズム
• 23pTA-11 多形シリコンナノワイヤー
• 25pY-6 GaPの点欠陥移動における表面効果
• 24pY-14 シリコン表面ナノホールの光物性
• 23aW-13 シリコンナノワイヤーのTEM内その場可視分光装置による光学測定
• 31aZF-12 シリコンーシリサイドーオキサイド・ナノチェーンの生成と物性
• 17pTF-2 金属・硫黄を用いたシリコンニードルの生成
• 17pTF-1 シリコンナノワイヤー成長におけるバイファケーション
• 27pZ-5 シリコン {111} 表面上に生成したシリコンナノワイヤーの光物性
• 26pYL-9 GaInP中の反位相境界に自己形成された量子井戸構造
• 31a-ZA-11 GaInP中の反位相境界に起因する局在電子準位
• 29pPSA-47 鉛-金触媒を用いたシリコンナノ結晶チェーンの生成と光学特性
• 28aTA-6 シリコンナノ結晶チェーンの高効率生成
• 24pW-14 Siナノ結晶チェインからのカソードルミネッセンス
• 30p-YK-11 c-BN中の窒素バブル
• 7aSK-3 SiGe混晶における電子線照射誘起の拡張欠陥(格子欠陥・ナノ構造,領域10)
• 7aSN-9 SiC bamboo構造の透過型電子顕微鏡観察(結晶成長・表面界面ダイナミクス,領域9)
• 7aSK-8 ZnSe薄膜中における光照射による積層欠陥の形成 : 電子顕微鏡その場観察(格子欠陥・ナノ構造,領域10)
• 24aWD-3 ZnSe薄膜中のV字型積層欠陥の生成消滅メカニズム(24aWD 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 25pPSB-36 シリコンナノワイヤー成長におけるナノ触媒形成過程のSTM観察(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 24aWJ-5 面欠陥からの偏光CL光の定量解析(24aWJ X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))
• 25aXR-3 SiGeにおける電子線照射効果(25aXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))
• 26pWD-5 シリコン結晶中に内包された金クラスターの構造(26pWD クラスター・表面ナノ構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 25aXR-7 シリコン中の金シリサイド微粒子の構造(25aXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))
• 24aWD-4 VLS機構による自己成長型Siナノワイヤーの生成起点(24aWD 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク