20pPSA-60 Ptナノ粒子包含泡状ナノカーボンのレーザーアブレーションによる生成(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 2012-08-24
著者
-
河野 日出夫
阪大院理
-
市川 聡
産業技術総合研究所
-
市川 聡
東京大学大学院新領域創成科学研究科
-
市川 聡
大阪大学ナノサイエンスデザイン教育研究センター
-
立谷 健太郎
阪大院理
-
市川 聡
阪大INSD
-
Mor Yuhki
Osaka Univ.
関連論文
- 電子線ホログラフィーを用いたナノ・ヘテロ触媒の解析 (特集 電子線ホログラフィーで究める物質科学)
- 電子ビーム誘起堆積法を用いて作製したPtナノ結晶冷陰極からの縞状電子放出パターンの観測(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 26pYH-2 電気的ブレイクダウンによるシリコンナノチェイン/カーボンナノチューブ変換(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pWA-10 SiCナノワイヤにおける積層シーケンスの統計的性質(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pPSB-2 コンペイトウ型SiC粒子の生成 : ナノワイヤ成長からの遷移(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aPS-59 超流動ヘリウム中におけるZnOナノ微粒子の作製(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 25aYC-5 ナノ領域に選択成長させた触媒からのナノワイヤ生成(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aZD-9 成長中光照射によるZnSe擬似格子整合膜の構造変化(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24aPS-111 合金触媒を用いたシリコンナノワイヤー成長(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 28pXM-2 SiCナノワイヤーの電子線ホログラフィー(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 22aXA-3 SiC 一次元ナノ構造の内部ポテンシャル
- 21aYE-4 ヘテロ接合ナノワイヤの内部ポテンシャル測定
- Ag/Feナノ結晶合金の組織と変形機構
- メソ構造を持つ層状リン酸ニオブの合成
- 22pPSA-39 個々のナノチェインの電気的ブレイクダウン(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aYK-3 有機ガスの電子エネルギー損失分光(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- Pt/TiO_2ナノヘテロ触媒におけるPtナノ粒子の平均内部ポテンシャル
- 15pXE-5 TiO_2(110) 表面上に吸着した貴金属の電子状態(表面界面電子物性, 領域 9)
- 電子線ホログラフィー法の金ナノヘテロ触媒への応用
- 25pWS-6 SiCナノワイヤのジュール加熱によるグラファイト化のTEMその場観察(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aYK-5 カーボンナノチューブ生成における不純物添加効果の環境制御型TEMによる解析(格子欠陥・ナノ構造(炭素),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 28pYH-7 Pt/CeO_2触媒のガス中環境TEM観察(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pWA-9 Au/CeO_2触媒の反応ガス中高分解能・環境TEM観察(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pWA-8 CO雰囲気下でのAu/TiO_2触媒の高分解能その場環境TEM観察(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22aTD-9 シリコンナノチェイン電気伝導の非ガウスゆらぎ(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 22pPSA-2 MOCVD法によるSiCナノ構造生成(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aTG-7 カーボンナノチューブ生成における合金触媒の電子顕微鏡観察(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-61 マイクロマニピュレータを用いた半導体ナノニードルの電気伝導特性の測定(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pYH-7 シリコンナノチェインの高電圧印加電気伝導(26pYH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pPSB-59 自己アフィンSiCナノワイヤの自己形成(29pPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 24aPS-110 シリコンナノニードルをテンプレートとしたシリコン/鉄シリサイドヘテロ接合の形成(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aYF-4 マルチアフィン半導体ナノワイヤの生成(確率過程・確率モデル,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 12aXG-11 SiC ナノワイヤ直径変動の複雑性とスケーリング(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
- 29pPSA-63 ナノワイヤ成長にみられる複雑な直径変動(領域11ポスターセッション)
- 28pPSB-67 SiC bamboo 構造の電子構造
- 24pPSA-63 シリコン表面上の電子線照射誘起欠陥のSTM観察
- 31aZF-7 シリコンナノ結晶チェーンの電気伝導特性
- 24aPS-109 組成変化SiGeナノウィスカーの構造と成長メカニズム(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27pPSA-64 グラフェン/グラファイトで覆われたSiCナノワイヤのMOCVDによる生成(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-32 電子線照射と反応ガスによるAu/TiO_2触媒の形状変化の環境TEM観察(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aTG-5 Pt/CeO_2触媒のガス種に依存した形状変化の環境TEM観察(26aTG 微粒子・クラスター・ナノ構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-63 シリコンナノチェインの炭素コーティングによるジュール加熱チューブ化制御(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pYC-10 シリコン表面ナノホールのexcavationメカニズム
- 23aJB-4 触媒反応ガス中におけるPt/CeO_2形状の温度依存性(23aJB 表面界面構造(金属・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 31aZF-12 シリコンーシリサイドーオキサイド・ナノチェーンの生成と物性
- 17pTF-2 金属・硫黄を用いたシリコンニードルの生成
- S35-04P 非晶質ケイ酸塩の水質変成実験によるコンドライト変成過程における無機有機相互作用の研究(一般ポスターセッション3,ポスター発表)
- 29pPSA-47 鉛-金触媒を用いたシリコンナノ結晶チェーンの生成と光学特性
- 28aTA-6 シリコンナノ結晶チェーンの高効率生成
- 24pW-14 Siナノ結晶チェインからのカソードルミネッセンス
- 超流動ヘリウム中でのレーザーアブレーションによるZnO微小球の作製 : 構造と光学特性
- 24aCC-6 反応ガス中における白金ナノ粒子触媒の表面構造(24aCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pPSA-60 Ptナノ粒子包含泡状ナノカーボンのレーザーアブレーションによる生成(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 26aXS-10 ガンマ鉄触媒から生成した多層カーボンナノチューブの自発的潰れによるカーボンナノリボンおよびナノテトラヘドロン形成(26aXS 格子欠陥・ナノ構造(水素・炭素系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 7aSN-9 SiC bamboo構造の透過型電子顕微鏡観察(結晶成長・表面界面ダイナミクス,領域9)
- 27pPSA-65 カーボンナノチューブ中におけるカーボンナノチューブCVD成長(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aXR-3 SiGeにおける電子線照射効果(25aXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))
- 26pWD-5 シリコン結晶中に内包された金クラスターの構造(26pWD クラスター・表面ナノ構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 25aXR-7 シリコン中の金シリサイド微粒子の構造(25aXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))
- 24aWD-4 VLS機構による自己成長型Siナノワイヤーの生成起点(24aWD 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))