準連続体モデルによるCu/Al_2O_3界面の大規模原子シミュレーション
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概要
著者
-
田中 真悟
産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門
-
香山 正憲
産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門
-
吉川 暢宏
東京大学生産技術研究所
-
半谷 禎彦
群馬大学大学院工学研究科
-
半谷 禎彦
群馬大学工学部
-
DMITRIEV Sergey
物質・材料研究機構
-
DMITRIEV S.
物質・材料研究機構
-
Dmitriev Sergey
Department Of Applied Physics And Chemistry University Of Electro-communications:(permanent) Departm
-
香山 正憲
産業技術総合研究所
-
田中 真悟
産業技術総合研究所
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- 27aXS-11 第一原理計算によるチタン酸リチウム吸蔵/脱離二相界面の原子・電子構造(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
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