19aYN-5 第一原理格子グリーン関数法による格子欠陥の構造とエネルギーの計算II(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
23aHS-2 電子線エネルギー損失分光スペクトルとそのEdge Threshold Energyの第一原理計算(23aHS 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション,転位,点欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
-
21aHT-6 ナノ構造化グラファイトに結合した水素の第一原理分子動力学シミュレーション(21aHT 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
-
23aGP-5 第一原理計算による金表面での酸素原子吸着構造(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
20aGL-5 fcc-Au上に積層したPdの電子状態の第一原理計算による評価(20aGL 微粒子・クラスター/若手奨励賞,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
228 第一原理計算を用いたアルミニウムΣ=5(001) 粒界におけるすべり方位による変形挙動の解析
-
27pYG-8 Al(111)表面の第一原理局所応力計算(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
27aXT-10 第一原理計算による酸化物ガラス中の欠陥の理論研究(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
-
22aXA-10 第一原理計算による酸化物ガラス中の欠陥の原子構造と電子状態
-
18pXB-2 界面を含む系での応力・誘電率の微視的分布および電歪の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(電子状態・金属・炭素系物質),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
29pTE-8 分子性固体の第一原理電子状態計算における有効クーロン相互作用Uの導入効果(29pTE π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
-
28aYH-1 Pt-グラフェン間の相互作用に対する欠陥や添加物の効果(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
-
21pTD-8 第一原理分子動力学法によるナノ構造化グラファイト中の水素・炭化水素の結合状態(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
21aPS-73 Pt_/グラファイトの原子構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
27aWB-1 第一原理計算による6H-SiC(000-1)2×2表面構造と電子状態(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
28aRF-10 金属,合金の弾性定数の温度依存性の計算(28aRF 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
22pWA-1 金属,合金の弾性定数の温度依存性の計算(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
23aTG-3 グラフェンのエッジに結合した水素・炭化水素の第一原理分子動力学シミュレーション(ナノチューブ・グラフェンにおける欠陥,領域7,領域10合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
-
24aYF-3 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算IV(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
24pTA-14 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算III(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
20aXB-11 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算II(強度、破壊)の計算II(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
第一原理計算によるガラス中の欠陥の研究 (特集 ガラス・フォトニクス材料の最近の動向)
-
26aYK-16 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
27pXD-9 第一原理格子グリーン関数法による格子欠陥の構造とエネルギーの計算III(27pXD 格子欠陥・ナノ構造(金属・電子状態・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
19aYN-5 第一原理格子グリーン関数法による格子欠陥の構造とエネルギーの計算II(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
21pWB-5 単一成分分子性導体の第一原理電子状態計算(陽ラジカル塩,単一成分系,領域7(分子性固体・有機導体))
-
24pYM-3 第一原理格子グリーン関数法による格子欠陥の構造とエネルギーの計算(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
-
27pWL-7 第一原理計算による(BEDT-TTF)_2I_3の結晶構造予測(ET塩(α・β・θ型))(領域7)
-
21pXE-11 Ni(tmdt)_2 のフェルミ面形状の第一原理計算・磁気量子振動実験結果との比較
-
31pYG-7 第一原理計算による SiO_2 および GeO_2 中の欠陥の原子構造と電子状態
-
28aZA-3 第一原理計算による分子性固体の構造最適化
-
20aWF-13 第一原理計算によるTTF-TCNQの構造最適化と一軸性圧縮の電子構造への影響の研究
-
30aYT-3 β-C_3N_4の最安定構造の第一原理計算
-
27pCX-5 C_結晶における電子-陽電子対運動量密度分布の第一原理計算
-
23aYG-1 第一原理計算によるTTF-TCNQの構造最適化
-
25aY-7 炭化珪素のTBMD計算 : 微粒子焼結とTBパラメータ抽出
-
22pR-1 TTF-TCNQ,TSF-TCNQの第一原理バンド計算
-
24pYA-5 コンプトン散乱法によるTTF-TCNQの電子運動量分布の研究
-
29a-XB-1 有機伝導体の第一原理擬ポテンシャルバンド計算
-
28p-YC-1 SI中の結晶粒界の理論的研究 : 安定な粒界構造の支配因子
-
2p-YG-4 ダイアモンド中の結晶粒界の原子配列とエネルギーII-Σ=9粒界における相対並進の効果
-
28p-P-12 ダイアモンド中の結晶粒界の原子配列とエネルギー : Si中の結晶粒界との比較
-
29pTE-4 fcc-Au上に積層したPdの電子状態の第一原理計算による評価(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
21pTD-14 第一原理PAW法によるAu@Pdコア・シェル微粒子の原子構造と吸着子の局所的な反応性(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
19pXB-14 第一原理PAW法によるAu-Pdコア・シェル微粒子の原子・電子構造(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
28pYH-1 Pt/グラフェンへののCO吸着(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
21pXA-1 温度格子グリーン関数法を用いたクラック進展過程の解析 : 格子トラップ及び転位放出効果 II
-
31aYG-11 温度格子グリーン関数法を用いたクラック進展過程の解析 : 格子トラップ及び転位放出効果
-
808 ナノスケール物質の機械的性質に関する分子動力学法計算
-
非直交基底クラスター・h・リカージョン法によるシリコン結晶中の格子欠陥の計算
-
29a-N-1 格子欠陥周囲の原子変位-CVMとMC法による計算
-
31p-YC-5 非直交基底リカージョン法による物質の相安定性と格子欠陥の計算
-
29a-D-12 改良LCAO法による格子欠陥計算 (C_ 系への応用)
-
24aWY-4 第一原理分子動力学法によるナノ構造化グラファイト中の炭化水素の動的性質(24aWY 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
-
25aWS-10 エチレンを吸着したAu-Pdスラブの第一原理計算による評価(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
-
28aRF-9 ナノスケール物質の熱力学的性質及び機械的性質の計算IV(28aRF 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
22aWA-13 ナノスケール物質の熱力学的性質及び機械的性質の計算III(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
24aYF-2 ナノスケール物質の熱力学的性質及び機械的性質の計算II(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
24pTA-13 ナノスケール物質の熱力学的性質及び機械的性質の計算(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
20aXB-10 ナノスケール物質の機械的性質(強度、破壊)の計算II(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
26aYK-15 ナノスケール物質の機械的性質(強度、破壊)の計算(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
24pYM-2 温度格子グリーン関数法を用いたクラック進展過程の解析IV(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
-
27aXT-8 温度格子グリーン関数法を用いたクラック進展素過程の解析 : 格子トラップ及び転位放出効果III(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
-
24pYL-2 不純物KKR-Green関数法とクラスター変分法による金属中の不純物溶解度限の温度依存性II : クラスター相互作用エネルギー効果
-
28a-ZA-1 不純物KKR-Green関数法とクラスター変分法による金属中の不純物溶解度限の温度依存性:クラスター相互作用エネルギーの効果
-
27pRB-2 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の構造安定性に関する酸素分圧効果(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
22pWA-5 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の原子・電子構造(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
21pWA-3 リチウムイオン電池電極材料におけるLi濃度分布の可視化(21pWA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
26aYF-10 Li-ion電池正極材料Li_Mn_Fe_O_2ナノ粒子の初期充放電過程解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
303 金属/セラミクス界面のマルチスケール強度解析(GS6 き裂3)
-
金属/セラミクス界面のマルチスケールモデル(OS3-6 変態、モデリング,OS3 先端機能性構造材料の力学的挙動に関する数理解析とマルチスケールアナリシスへの進展)
-
25aWS-6 金表面上の酸素・一酸化炭素の共吸着構造(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
-
28pYH-7 Pt/CeO_2触媒のガス中環境TEM観察(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
19aXC-3 リチウムイオン二次電池正極材料・Fe含有Li_2MnO_3の結晶構造解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
20aPS-22 Electronic Structures of Cyclic and Acyclic Molecules On Metal by First-principles Calculations
-
24aYC-3 Ab Initio Study of Organic/Metal Interfaces: n-Alkane Molecules on Aluminum
-
29pXD-9 第一原理計算による貴金属ナノ微粒子のコア・シェル界面電子構造(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
27p-T-13 不純物KKR-Green関数法とクラスター変分法による金属中の不純物溶解度限の温度依存性
-
803 第一原理計算によるアルミニウムの対応粒界すべりの研究
-
破壊過程の微視的理論 -温度および環境効果-
-
23aYP-5 経路確率法による面欠陥(ABP,異相界面)の構造とエネルギーの計算
-
28a-ZA-4 TB法及びCD-CVM法を用いた半導体微粒子中の転位芯構造の計算II
-
27p-T-4 TB法及び経路確率法を用いた半導体ヘテロ界面構造の計算
-
5p-S-6 連続変位クラスター変分法による格子欠陥構造の計算 : 転位及びクラック
-
1a-M-6 クラスター変分法による格子欠陥周囲の原子変位の計算III
-
29a-N-4 クラスター変分法による格子欠陥周囲の原子変位の計算II
-
24pYP-1 O(N)TBMD法を用いた半導体微結晶中の欠陥構造の計算
-
1002 金/酸化チタン界面の結合性と触媒特性の第一原理計算(OS10. 電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(1),オーガナイズドセッション講演)
-
29a-D-7 脆性物質の破壊の格子理論-転位放出過程の解析
-
28a-ZA-3 統計力学モーメント法による金属中自己拡散の解析
-
27pTJ-4 第一原理分子動力学法によるナノ構造化グラファイト中の炭化水素の動的性質II(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(炭素・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
-
1006 第一原理計算による積層欠陥の局所エネルギー解析(OS10.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(2:局所性),オーガナイズドセッション)
-
29a-N-3 クラスター変分法によるAg, Pd中の不純物の溶解度限
-
27p-T-5 非直交基底TBMD法による半導体微粒子中の転位芯構造の計算
-
202 第一原理計算法に基づく局所応力計算法の検証(OS15.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(1),オーガナイズドセッション)
-
201 金属粒界の強度特性の第一原理解析 : Al粒界とCu粒界(OS15.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(1),オーガナイズドセッション)
-
1011 金属粒界の強度特性の第一原理解析 : 不純物の効果(OS10.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(3:粒界),オーガナイズドセッション)
-
20pAH-8 グラフェンの欠陥における酸素分子の吸着と解離の第一原理計算(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
-
27pXS-6 グラフェンの原子空孔における酸素分子の吸着と解離について(27pXS 格子欠陥・ナノ構造(招待・理論・電子論・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
-
27pXF-9 電子型強誘電性を示すTTF-CAの分子の電子状態の研究(27pXF 装置開発,中性-イオン性転移,領域7(分子性固体・有機導体))
-
801 局所エネルギー密度・応力密度による結晶粒界の第一原理解析(OS8.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(1),OS・一般セッション講演)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク