非直交基底クラスター・h・リカージョン法によるシリコン結晶中の格子欠陥の計算

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1996-09-13

著者

• 神藤 欣一

  東京工大総合理工

• 小畑 修二

  電機大理工

• 小畑 修二

  東京電機大理工

• 神藤 欣一

  東工大総理工

関連論文

• 28aRF-1 CI変分法を取り入れたLCVB(原子価結合線型結合)法(28aRF 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27pQF-1 CI-LCVB法とSpin Coupled VB法(電子系(密度汎関数法,その他),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 26pYF-14 Lanczos法を用いたクラスタード・リカージョン法II : グラファイトシートの電子状態密度計算(電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 14aTJ-6 欠陥グラファイトシートの電子状態の計算(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
• 2p-M-5 キューブカクタス格子におけるスピングラス相の種々の取扱いの比較
• 28aRF-10 金属,合金の弾性定数の温度依存性の計算(28aRF 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-1 金属,合金の弾性定数の温度依存性の計算(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aYF-3 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算IV(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pTA-14 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算III(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20aXB-11 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算II(強度、破壊)の計算II(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26aYK-16 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27pXD-9 第一原理格子グリーン関数法による格子欠陥の構造とエネルギーの計算III(27pXD 格子欠陥・ナノ構造(金属・電子状態・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 19aYN-5 第一原理格子グリーン関数法による格子欠陥の構造とエネルギーの計算II(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24pYM-3 第一原理格子グリーン関数法による格子欠陥の構造とエネルギーの計算(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 21pXA-1 温度格子グリーン関数法を用いたクラック進展過程の解析 : 格子トラップ及び転位放出効果 II
• 31aYG-11 温度格子グリーン関数法を用いたクラック進展過程の解析 : 格子トラップ及び転位放出効果
• 808 ナノスケール物質の機械的性質に関する分子動力学法計算
• 非直交基底クラスター・h・リカージョン法によるシリコン結晶中の格子欠陥の計算
• 29a-N-1 格子欠陥周囲の原子変位-CVMとMC法による計算
• 31p-YC-5 非直交基底リカージョン法による物質の相安定性と格子欠陥の計算
• 28a-P-3 新リカージョン法を用いた無秩序系の電子状態の計算II
• 29a-D-12 改良LCAO法による格子欠陥計算 (C_ 系への応用)
• 28aRG-3 円形高周波加速器の全てに共通の二段階構成非線形加速理論(28aRG ビームダイナミクス・レーザープラズマ,ビーム物理領域)
• 27pXM-8 サイクロトロンの仮想的な基準となる磁場分布(装置・リングサイクロトロン・核融合ビーム,新領域)
• 28aZR-9 サイクロトロン及びシンクロサイクロトロンの加速運動の解法の統一(加速器設計・理論)(新領域)
• 28aRF-9 ナノスケール物質の熱力学的性質及び機械的性質の計算IV(28aRF 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22aWA-13 ナノスケール物質の熱力学的性質及び機械的性質の計算III(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aYF-2 ナノスケール物質の熱力学的性質及び機械的性質の計算II(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pTA-13 ナノスケール物質の熱力学的性質及び機械的性質の計算(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20aXB-10 ナノスケール物質の機械的性質(強度、破壊)の計算II(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26aYK-15 ナノスケール物質の機械的性質(強度、破壊)の計算(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24pYM-2 温度格子グリーン関数法を用いたクラック進展過程の解析IV(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 27aXT-8 温度格子グリーン関数法を用いたクラック進展素過程の解析 : 格子トラップ及び転位放出効果III(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 24pYL-2 不純物KKR-Green関数法とクラスター変分法による金属中の不純物溶解度限の温度依存性II : クラスター相互作用エネルギー効果
• 28a-ZA-1 不純物KKR-Green関数法とクラスター変分法による金属中の不純物溶解度限の温度依存性:クラスター相互作用エネルギーの効果
• 23pTE-9 実空間電子構造計算のための密度変分法 : 原子価軌道線型結合法からの展開(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 21pWA-4 ビリアル定理を満足するHeitler-Londonの水素分子軌道計算(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 18pXB-3 構造変化したナノチューブの電子構造計算(格子欠陥・ナノ構造(電子状態・金属・炭素系物質),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25aYK-8 いろいろなナノチューブの電子構造計算(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 30aXH-7 ダイアモンド電子構造計算における半経験的パラメーターの見直し : Lanczos法を用いたクラスタード・リカージョン法(30aXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 21pYM-5 ダイアモンド欠陥の電子構造計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pSH-8 AB 効果の古典論 II : 特殊相対論的扱い
• 20aRC-11 AB効果の古典論
• 29pZF-5 スピン対軌道線形結合法によるクラスター分子の電子構造計算
• 25aYJ-11 スピン対軌道展開による分子軌道計算
• 31a-XE-9 クラスタード・リカージョン法の改良
• 30p-PSA-44 連分数系のカオスII
• 25p-G-17 連分数系のカオス
• 3p-D5-14 平面格子ランダムイジング反強磁性体の基底状態
• 30p-YF-2 ダイアモンドの電子構造計算
• 8a-YJ-9 シリコンの電子構造計算 II : クラスター・ホールド・リカージョン法の応用
• 30p-YH-14 クラスター・ホールド・リカージョン法における実数値分布法の適用
• シリコン表面の電子構造計算
• 31a-M-3 格子欠陥周囲の原子変位-MC法による計算II
• 28a-YA-6 半経験的LCAO分子軌道計算法の改良
• 4a-R-5 クラスター・ホールド・リカージョン法を用いたカーボン・ナノチューブの電子構造計算とLCAO法の改良
• 14a-H-8 クラスター・ホールド・リカージョン法における収斂性の問題
• 29p-D-1 Auをドーブしたシリコンの局所電子構造
• 26a-H-7 クラスター・リカージョン法を用いた格子欠陥上の扇所電子構造計算
• 27p-PS-37 クラスター・リカージョン法における電子局在指数
• 27p-BPS-27 クラスタ・リカージョン法における収束性の問題
• 4p-PS-59 固体電子構造の新計算法(Cluster-Recursion Method)とその応用
• 30a-TM-5 一次元鎖状高分子におけるLCAO方程式の解法
• 4p-ZG-13 CuO平面結合系におけるLCAO計算
• 30p-QA-5 ポリアセチレン系の電子状態
• 平面格子±Jボンドモデル系の基底状態(F.スピングラスの理論,基研短期研究会「スピングラスとその周辺」,研究会報告)
• 1p-C-16 2次元平面格子±Jボンドスピン系のグラス状態
• 4a-J-2 高次隣接相互作用を含む一次元系の状態密度
• 1a-KJ-12 第2隣接相互作用を有する電子系の繰込み
• 14p-M-5 2バンドモデルにおける 電子状態密度
• 29p-SB-22 ±Jポンド平面格子イジングスピン系の有限磁場中の磁性
• 1a-U-3 強結合近似における平面格子系の繰込み操作
• 30p-KC-13 エネルギー軸上における固有状態の関連性
• Electronic Spatial Structures of Eigenstates in Amorphous Alloys
• 4a-F-9 波動関数の分布状態と局在性
• 27p-T-13 不純物KKR-Green関数法とクラスター変分法による金属中の不純物溶解度限の温度依存性
• 破壊過程の微視的理論 -温度および環境効果-
• 23aYP-5 経路確率法による面欠陥(ABP,異相界面)の構造とエネルギーの計算
• 28a-ZA-4 TB法及びCD-CVM法を用いた半導体微粒子中の転位芯構造の計算II
• 27p-T-4 TB法及び経路確率法を用いた半導体ヘテロ界面構造の計算
• 5p-S-6 連続変位クラスター変分法による格子欠陥構造の計算 : 転位及びクラック
• 1a-M-6 クラスター変分法による格子欠陥周囲の原子変位の計算III
• 29a-N-4 クラスター変分法による格子欠陥周囲の原子変位の計算II
• 24pYP-1 O(N)TBMD法を用いた半導体微結晶中の欠陥構造の計算
• 29a-D-7 脆性物質の破壊の格子理論-転位放出過程の解析
• 28a-ZA-3 統計力学モーメント法による金属中自己拡散の解析
• 29a-N-3 クラスター変分法によるAg, Pd中の不純物の溶解度限
• 27p-T-5 非直交基底TBMD法による半導体微粒子中の転位芯構造の計算
• 31p-YK-8 TBMD法による半導体結晶中(バルク及びヘテロ界面)の転位芯構造の計算
• 7a-S-5 非直交基底TBMD法による半導体結晶中の転位芯構造の計算
• 28p-E-12 O(N)非直交基底TBMD法による半導体結晶中の転位の計算II
• O(N)非直交基底TBMD法による半導体結晶中の転位の計算
• 連続変位クラスター変分法による格子欠陥(クラック、転位)の計算
• 27aYL-6 統計力学モーメント法による金属中自己拡散の解析 II
• 24pYL-5 TB法及びCD-CVM法を用いた半導体微粒子中の転位芯 : 構造の計算III
• 1p-YK-6 第一原理計算とクラスター変分法
• 31p-YK-4 グライド・シヤッフル面に沿うγエネルギー曲面の物質依存性
• 不純物KKR-Green関数法による合金中の有効原子対相互作用エネルギーの濃度依存性II
• 29p-LG-13 III-V族化合物半導体中の転位と溶質原子の相互作用(格子欠陥)
• 25aXR-11 Density Matrix法を用いた半導体ナノ結晶の機械的性質の計算(25aXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク