小畑 修二 | 電機大理工
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概要
関連著者
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小畑 修二
電機大理工
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小畑 修二
東京電機大理工
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小畑 修二
電機大 理工
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神藤 欣一
東京工大総合理工
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篠原 正三
電機大 工
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小畑 修二
東京電機大学大学院先端科学技術研究科
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東京電機大学 理工学部 電子・機械工学系
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篠原 正三
東京電機大工
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佐藤 健次
阪大核物セ
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日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
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住友イートンノバ
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ハノイ国立大学
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神藤 欣一
東工大総理工
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原研高崎研
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小畑 修二
電気大 理工
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藤木 登義
東北大 工
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神藤 欣一
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MENON Madhu
University of Kentucky
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福田 光宏
原子力機構高崎
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宮脇 信正
原子力機構高崎
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佐藤 健次
阪大植物セ
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二宮 史郎
阪大植物セ
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佳元 壮一郎
阪大核物セ
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横田 勉
電機大 理工
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篠原 正三
電機大理工
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丹羽 雅昭
電機大理工
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芹沢 健一
電機大 理工
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小畑 修二
電機大・理工
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小畑 修二
電機大理・工
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小畑 修二
Laboratory of Physics, Tokyo Denki University
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篠原 正三
Department of Applied Science, Tokyo Denki University
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小畑 修二
電機大 応理
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篠原 正三
電機大 応理
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小畑 修二
電機大応理
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篠原 正三
電機大応理
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桂 重俊
東北大学
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桂 重俊
東京電機大学
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小畑 修二
電機大
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篠原 正三
Department Of Applied Science Tokyo Denki University
著作論文
- 28aRF-1 CI変分法を取り入れたLCVB(原子価結合線型結合)法(28aRF 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27pQF-1 CI-LCVB法とSpin Coupled VB法(電子系(密度汎関数法,その他),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 26pYF-14 Lanczos法を用いたクラスタード・リカージョン法II : グラファイトシートの電子状態密度計算(電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 14aTJ-6 欠陥グラファイトシートの電子状態の計算(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 2p-M-5 キューブカクタス格子におけるスピングラス相の種々の取扱いの比較
- 21pXA-1 温度格子グリーン関数法を用いたクラック進展過程の解析 : 格子トラップ及び転位放出効果 II
- 31aYG-11 温度格子グリーン関数法を用いたクラック進展過程の解析 : 格子トラップ及び転位放出効果
- 808 ナノスケール物質の機械的性質に関する分子動力学法計算
- 非直交基底クラスター・h・リカージョン法によるシリコン結晶中の格子欠陥の計算
- 29a-N-1 格子欠陥周囲の原子変位-CVMとMC法による計算
- 31p-YC-5 非直交基底リカージョン法による物質の相安定性と格子欠陥の計算
- 28a-P-3 新リカージョン法を用いた無秩序系の電子状態の計算II
- 29a-D-12 改良LCAO法による格子欠陥計算 (C_ 系への応用)
- 28aRG-3 円形高周波加速器の全てに共通の二段階構成非線形加速理論(28aRG ビームダイナミクス・レーザープラズマ,ビーム物理領域)
- 27pXM-8 サイクロトロンの仮想的な基準となる磁場分布(装置・リングサイクロトロン・核融合ビーム,新領域)
- 28aZR-9 サイクロトロン及びシンクロサイクロトロンの加速運動の解法の統一(加速器設計・理論)(新領域)
- 23pTE-9 実空間電子構造計算のための密度変分法 : 原子価軌道線型結合法からの展開(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 21pWA-4 ビリアル定理を満足するHeitler-Londonの水素分子軌道計算(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 18pXB-3 構造変化したナノチューブの電子構造計算(格子欠陥・ナノ構造(電子状態・金属・炭素系物質),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25aYK-8 いろいろなナノチューブの電子構造計算(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 30aXH-7 ダイアモンド電子構造計算における半経験的パラメーターの見直し : Lanczos法を用いたクラスタード・リカージョン法(30aXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 21pYM-5 ダイアモンド欠陥の電子構造計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28pSH-8 AB 効果の古典論 II : 特殊相対論的扱い
- 20aRC-11 AB効果の古典論
- 29pZF-5 スピン対軌道線形結合法によるクラスター分子の電子構造計算
- 25aYJ-11 スピン対軌道展開による分子軌道計算
- 31a-XE-9 クラスタード・リカージョン法の改良
- 30p-PSA-44 連分数系のカオスII
- 25p-G-17 連分数系のカオス
- 3p-D5-14 平面格子ランダムイジング反強磁性体の基底状態
- 30p-YF-2 ダイアモンドの電子構造計算
- 8a-YJ-9 シリコンの電子構造計算 II : クラスター・ホールド・リカージョン法の応用
- 30p-YH-14 クラスター・ホールド・リカージョン法における実数値分布法の適用
- シリコン表面の電子構造計算
- 31a-M-3 格子欠陥周囲の原子変位-MC法による計算II
- 28a-YA-6 半経験的LCAO分子軌道計算法の改良
- 4a-R-5 クラスター・ホールド・リカージョン法を用いたカーボン・ナノチューブの電子構造計算とLCAO法の改良
- 14a-H-8 クラスター・ホールド・リカージョン法における収斂性の問題
- 29p-D-1 Auをドーブしたシリコンの局所電子構造
- 26a-H-7 クラスター・リカージョン法を用いた格子欠陥上の扇所電子構造計算
- 27p-PS-37 クラスター・リカージョン法における電子局在指数
- 27p-BPS-27 クラスタ・リカージョン法における収束性の問題
- 4p-PS-59 固体電子構造の新計算法(Cluster-Recursion Method)とその応用
- 30a-TM-5 一次元鎖状高分子におけるLCAO方程式の解法
- 4p-ZG-13 CuO平面結合系におけるLCAO計算
- 30p-QA-5 ポリアセチレン系の電子状態
- 平面格子±Jボンドモデル系の基底状態(F.スピングラスの理論,基研短期研究会「スピングラスとその周辺」,研究会報告)
- 1p-C-16 2次元平面格子±Jボンドスピン系のグラス状態
- 4a-J-2 高次隣接相互作用を含む一次元系の状態密度
- 1a-KJ-12 第2隣接相互作用を有する電子系の繰込み
- 14p-M-5 2バンドモデルにおける 電子状態密度
- 29p-SB-22 ±Jポンド平面格子イジングスピン系の有限磁場中の磁性
- 1a-U-3 強結合近似における平面格子系の繰込み操作
- 30p-KC-13 エネルギー軸上における固有状態の関連性
- Electronic Spatial Structures of Eigenstates in Amorphous Alloys
- 4a-F-9 波動関数の分布状態と局在性
- 4a-J-10 アモルファス系の電子固有状態とその局在状態
- 31a GR-1 アモルファス多元合金における電子状態密度の計算法
- 3a-LG-6 乱れたベーテ格子2元合金系の電子状態密度と局在状態 III
- 10p-A-11 Anderson転移とTマトリックス
- 7a-B-2 乱れたベーテ格子2元合金系のバンド構造と局在状態 II
- 6p-L-5 乱れたベーテ格子2元合金系のバンド構造と局在状態
- 21pGT-13 CI-LCVB法における収束計算(21pGT 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 25pAG-16 遅延追跡法によるB-H特性評価(25pAG スピングラス・ランダムスピン系・古典フラストレート系・古典スピン系一般,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))