神藤 欣一 | 東京工大総合理工
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概要
関連著者
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神藤 欣一
東京工大総合理工
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Menon M.
ケンタッキー大学物理
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Hung Vu
ハノイ国立大学
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香山 正憲
産総研ユビキタスエネルギー
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Menon M.
ケンタッキー州立大学
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小畑 修二
電機大理工
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小畑 修二
東京電機大理工
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神藤 欣一
東工大総理工
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菊池 良一
カリフォルニア大・バークレー校
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Hung V.
国立ハノイ教育大
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香山 正憲
産総研
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星野 敏春
静岡大学創造科学技術大学院光・ナノ物質機能専攻
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小畑 修二
東京電機大学大学院先端科学技術研究科
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小畑 修二
東京電機大学 理工学部 電子・機械工学系
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香山 正憲
産総研関西
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Belkada R.
京都府地域結集型共同研究事業コア研究室
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Hung V.V.
国立ハノイ教育大
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星野 敏春
静大工
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Subbaswamy K.R.
ケンタッキー大学物理
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安里 光裕
東京都立工業高等専門学校一般教養科
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安里 光裕
静大工
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安里 光祐
静大工
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神藤 欣一
東工大総合理工
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Subbaswamy K.r.
ケンタッキー大物理
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Thomson R.
Nist
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菊池 良一
UCLA Dep of Material
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Hung Vu
ハノイ国立大物理
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菊地 良一
カリフォルニア大学バークレー校
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前田 康二
東大工
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浅田 寿生
静大工短
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浅田 寿生
静大工
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星野 敏春
静岡大工
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神藤 欣一
東工大
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MENON Madhu
University of Kentucky
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Hung V.
ハノイ国立大学
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Hung V.V.
ハノイ国立大学
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Zeller R.
KFA-IFF Julichi
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Zeller R.
IFF-KFA, Julich
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DEDERICHS P.H
IFF-KFA Julich
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清水 篤俊
静大工
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Thomson Robb.
アメリカ合衆国商務省材料科学研究所
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菊地 良一
カリフォルニア大学バークレー校材料科学科
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Zeller R
Iff-kfa Julich
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Hung V.
国立ハノイ教育大学
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Hung V.v.
国立ハノイ教育大学
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Dederichs P.h.
Kfa-iff Julichi
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神藤 欣一
東京工業大学
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Carlsson A.e.
Univ. Of Washington
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菊池 良一
カルフォルニオ大バークレー校材料科学
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小畑 修二
電機大
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Thomson R.
NIST(USA)
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Zhou S.J.
Univ. of Washington
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Vu Van
ハノイ国立大物理
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清水 篤俊
静岡大工
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SUBBASWAMY K.M
ケンタッキー大物理
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菊地 良一
UCLA
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Menon M
ケンタッキー大学物理
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Subbaswawy R.K
ケンタッキー大学物理
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Thomson R.
アメリカ合衆国商務省材料科学研究所
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小畑 修二
東京匙機大理工
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Meson M.
ケンタッキー大学物理
著作論文
- 28aRF-10 金属,合金の弾性定数の温度依存性の計算(28aRF 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pWA-1 金属,合金の弾性定数の温度依存性の計算(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24aYF-3 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算IV(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pTA-14 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算III(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20aXB-11 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算II(強度、破壊)の計算II(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26aYK-16 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27pXD-9 第一原理格子グリーン関数法による格子欠陥の構造とエネルギーの計算III(27pXD 格子欠陥・ナノ構造(金属・電子状態・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 19aYN-5 第一原理格子グリーン関数法による格子欠陥の構造とエネルギーの計算II(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pYM-3 第一原理格子グリーン関数法による格子欠陥の構造とエネルギーの計算(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 21pXA-1 温度格子グリーン関数法を用いたクラック進展過程の解析 : 格子トラップ及び転位放出効果 II
- 31aYG-11 温度格子グリーン関数法を用いたクラック進展過程の解析 : 格子トラップ及び転位放出効果
- 808 ナノスケール物質の機械的性質に関する分子動力学法計算
- 非直交基底クラスター・h・リカージョン法によるシリコン結晶中の格子欠陥の計算
- 29a-N-1 格子欠陥周囲の原子変位-CVMとMC法による計算
- 31p-YC-5 非直交基底リカージョン法による物質の相安定性と格子欠陥の計算
- 29a-D-12 改良LCAO法による格子欠陥計算 (C_ 系への応用)
- 28aRF-9 ナノスケール物質の熱力学的性質及び機械的性質の計算IV(28aRF 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22aWA-13 ナノスケール物質の熱力学的性質及び機械的性質の計算III(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24aYF-2 ナノスケール物質の熱力学的性質及び機械的性質の計算II(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pTA-13 ナノスケール物質の熱力学的性質及び機械的性質の計算(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20aXB-10 ナノスケール物質の機械的性質(強度、破壊)の計算II(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26aYK-15 ナノスケール物質の機械的性質(強度、破壊)の計算(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pYM-2 温度格子グリーン関数法を用いたクラック進展過程の解析IV(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 27aXT-8 温度格子グリーン関数法を用いたクラック進展素過程の解析 : 格子トラップ及び転位放出効果III(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 24pYL-2 不純物KKR-Green関数法とクラスター変分法による金属中の不純物溶解度限の温度依存性II : クラスター相互作用エネルギー効果
- 28a-ZA-1 不純物KKR-Green関数法とクラスター変分法による金属中の不純物溶解度限の温度依存性:クラスター相互作用エネルギーの効果
- 27p-T-13 不純物KKR-Green関数法とクラスター変分法による金属中の不純物溶解度限の温度依存性
- 破壊過程の微視的理論 -温度および環境効果-
- 23aYP-5 経路確率法による面欠陥(ABP,異相界面)の構造とエネルギーの計算
- 28a-ZA-4 TB法及びCD-CVM法を用いた半導体微粒子中の転位芯構造の計算II
- 27p-T-4 TB法及び経路確率法を用いた半導体ヘテロ界面構造の計算
- 5p-S-6 連続変位クラスター変分法による格子欠陥構造の計算 : 転位及びクラック
- 1a-M-6 クラスター変分法による格子欠陥周囲の原子変位の計算III
- 29a-N-4 クラスター変分法による格子欠陥周囲の原子変位の計算II
- 24pYP-1 O(N)TBMD法を用いた半導体微結晶中の欠陥構造の計算
- 29a-D-7 脆性物質の破壊の格子理論-転位放出過程の解析
- 28a-ZA-3 統計力学モーメント法による金属中自己拡散の解析
- 29a-N-3 クラスター変分法によるAg, Pd中の不純物の溶解度限
- 27p-T-5 非直交基底TBMD法による半導体微粒子中の転位芯構造の計算
- 31p-YK-8 TBMD法による半導体結晶中(バルク及びヘテロ界面)の転位芯構造の計算
- 7a-S-5 非直交基底TBMD法による半導体結晶中の転位芯構造の計算
- 28p-E-12 O(N)非直交基底TBMD法による半導体結晶中の転位の計算II
- O(N)非直交基底TBMD法による半導体結晶中の転位の計算
- 連続変位クラスター変分法による格子欠陥(クラック、転位)の計算
- 27aYL-6 統計力学モーメント法による金属中自己拡散の解析 II
- 24pYL-5 TB法及びCD-CVM法を用いた半導体微粒子中の転位芯 : 構造の計算III
- 1p-YK-6 第一原理計算とクラスター変分法
- 31p-YK-4 グライド・シヤッフル面に沿うγエネルギー曲面の物質依存性
- 不純物KKR-Green関数法による合金中の有効原子対相互作用エネルギーの濃度依存性II
- 29p-LG-13 III-V族化合物半導体中の転位と溶質原子の相互作用(格子欠陥)
- 25aXR-11 Density Matrix法を用いた半導体ナノ結晶の機械的性質の計算(25aXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))