28p-E-12 O(N)非直交基底TBMD法による半導体結晶中の転位の計算II

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1997-03-17

著者

• 神藤 欣一

  東京工大総合理工

• Menon M.

  ケンタッキー大学物理

• Subbaswamy K.R.

  ケンタッキー大学物理

• Subbaswamy K.r.

  ケンタッキー大物理

関連論文

• 28aRF-10 金属,合金の弾性定数の温度依存性の計算(28aRF 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-1 金属,合金の弾性定数の温度依存性の計算(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aYF-3 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算IV(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pTA-14 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算III(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20aXB-11 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算II(強度、破壊)の計算II(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26aYK-16 金属結晶の弾性定数の温度依存性の計算(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27pXD-9 第一原理格子グリーン関数法による格子欠陥の構造とエネルギーの計算III(27pXD 格子欠陥・ナノ構造(金属・電子状態・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 19aYN-5 第一原理格子グリーン関数法による格子欠陥の構造とエネルギーの計算II(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24pYM-3 第一原理格子グリーン関数法による格子欠陥の構造とエネルギーの計算(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 21pXA-1 温度格子グリーン関数法を用いたクラック進展過程の解析 : 格子トラップ及び転位放出効果 II
• 31aYG-11 温度格子グリーン関数法を用いたクラック進展過程の解析 : 格子トラップ及び転位放出効果
• 808 ナノスケール物質の機械的性質に関する分子動力学法計算
• 非直交基底クラスター・h・リカージョン法によるシリコン結晶中の格子欠陥の計算
• 29a-N-1 格子欠陥周囲の原子変位-CVMとMC法による計算
• 31p-YC-5 非直交基底リカージョン法による物質の相安定性と格子欠陥の計算
• 29a-D-12 改良LCAO法による格子欠陥計算 (C_ 系への応用)
• 28aRF-9 ナノスケール物質の熱力学的性質及び機械的性質の計算IV(28aRF 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22aWA-13 ナノスケール物質の熱力学的性質及び機械的性質の計算III(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aYF-2 ナノスケール物質の熱力学的性質及び機械的性質の計算II(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pTA-13 ナノスケール物質の熱力学的性質及び機械的性質の計算(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20aXB-10 ナノスケール物質の機械的性質(強度、破壊)の計算II(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26aYK-15 ナノスケール物質の機械的性質(強度、破壊)の計算(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24pYM-2 温度格子グリーン関数法を用いたクラック進展過程の解析IV(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 27aXT-8 温度格子グリーン関数法を用いたクラック進展素過程の解析 : 格子トラップ及び転位放出効果III(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 24pYL-2 不純物KKR-Green関数法とクラスター変分法による金属中の不純物溶解度限の温度依存性II : クラスター相互作用エネルギー効果
• 28a-ZA-1 不純物KKR-Green関数法とクラスター変分法による金属中の不純物溶解度限の温度依存性:クラスター相互作用エネルギーの効果
• 27p-T-13 不純物KKR-Green関数法とクラスター変分法による金属中の不純物溶解度限の温度依存性
• 破壊過程の微視的理論 -温度および環境効果-
• 23aYP-5 経路確率法による面欠陥(ABP,異相界面)の構造とエネルギーの計算
• 28a-ZA-4 TB法及びCD-CVM法を用いた半導体微粒子中の転位芯構造の計算II
• 27p-T-4 TB法及び経路確率法を用いた半導体ヘテロ界面構造の計算
• 5p-S-6 連続変位クラスター変分法による格子欠陥構造の計算 : 転位及びクラック
• 1a-M-6 クラスター変分法による格子欠陥周囲の原子変位の計算III
• 29a-N-4 クラスター変分法による格子欠陥周囲の原子変位の計算II
• 24pYP-1 O(N)TBMD法を用いた半導体微結晶中の欠陥構造の計算
• 29a-D-7 脆性物質の破壊の格子理論-転位放出過程の解析
• 28a-ZA-3 統計力学モーメント法による金属中自己拡散の解析
• 29a-N-3 クラスター変分法によるAg, Pd中の不純物の溶解度限
• 27p-T-5 非直交基底TBMD法による半導体微粒子中の転位芯構造の計算
• 31p-YK-8 TBMD法による半導体結晶中(バルク及びヘテロ界面)の転位芯構造の計算
• 7a-S-5 非直交基底TBMD法による半導体結晶中の転位芯構造の計算
• 28p-E-12 O(N)非直交基底TBMD法による半導体結晶中の転位の計算II
• O(N)非直交基底TBMD法による半導体結晶中の転位の計算
• 連続変位クラスター変分法による格子欠陥(クラック、転位)の計算
• 27aYL-6 統計力学モーメント法による金属中自己拡散の解析 II
• 24pYL-5 TB法及びCD-CVM法を用いた半導体微粒子中の転位芯 : 構造の計算III
• 1p-YK-6 第一原理計算とクラスター変分法
• 31p-YK-4 グライド・シヤッフル面に沿うγエネルギー曲面の物質依存性
• 不純物KKR-Green関数法による合金中の有効原子対相互作用エネルギーの濃度依存性II
• 29p-LG-13 III-V族化合物半導体中の転位と溶質原子の相互作用(格子欠陥)
• 25aXR-11 Density Matrix法を用いた半導体ナノ結晶の機械的性質の計算(25aXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク