シリコンナノワイヤへの不純物ドーピングと不純物の挙動 : 熱酸化過程での偏析挙動(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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ナノワイヤを利用した次世代トランジスタの実現には,1)ナノスケールでのサイズ・配列・構造制御,2)不純物ドーピングによる特性制御,および3)評価技術の確立が重要課題となっている.ナノワイヤをチャネルとし,不純物を高濃度にドープしたソース・ドレイン領域を形成するためには,ナノワイヤ中にドープされた不純物を検出・評価できる手法が必要である.これまでに,ラマン散乱法および電子スピン共鳴法により,シリコン(Si)ナノワイヤ中にドープされたボロン(B)およびリン(P)の結合・電子状態を明らかにしてきた.上記手法を利用して熱酸化過程での不純物の偏析挙動を調べた結果,BおよびPの偏析挙動を捉えることに成功し,BはPに比べて酸化膜側へ偏析しやすいことを明らかにした.
- 2012-06-14
著者
-
村上 浩一
筑波大学 数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻
-
深田 直樹
東北大金研:(現)筑波大物理工学系
-
深田 直樹
物質材料研究機構
-
関口 隆史
(独)物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
-
深田 直樹
(独)物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
-
村上 浩一
筑波大学
-
石田 慎哉
筑波大学
-
滝口 亮
筑波大学
-
横野 茂樹
筑波大学
-
深田 直樹
物質・材料研究機構
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