水素を利用したシリコン結晶中のワトキンスの置換反応の研究 (放射線とイオンビームによる物質構造の研究と改質・合成)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
20pHT-10 ゲルマニウム中の酸素不純物の赤外分光法による評価(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
-
シリコンナノ粒子系エレクトロルミネッセンス素子の不純物ドーピングによるキャリア注入効率向上
-
30a-YK-4 シリコン中の鉄の析出過程
-
酸素析出温度の異なるシリコン中の鉄のゲッタリング
-
30p-ZN-10 n型及びP型シリコン中の鉄拡散の活性化エネルギー
-
29p-K-3 シリコン中の鉄 : インジウム対形成過程
-
24a-T-4 シリコン中の鉄-アクセプタ対の形成過程
-
28a-YC-11 Si_xGe_バルク単結晶の正・逆光電子分光
-
28p-YQ-12 単結晶Si_xGe_のXPSスペクトル
-
31a-YC-2 シリコン中の水素・酸素・原子空孔複合体の形成過程
-
29p-YC-10 ゲルマニウムを添加した砒化ガリウムの励起スペクトル
-
29p-YC-9 変形したSiGe混晶のフォトルミネッセンス
-
29p-YC-7 シリコン中の鉄・ホウ素対の光誘起反応
-
4p-YG-7 Si-Geバルク単結晶の育成とフォトルミネッセンスによる評価
-
4a-YG-4 シリコン中の鉄・アクセプター対再結合促進欠陥反応
-
4a-YG-2 ゲルマニウムを添加した砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
-
28p-P-13 シリコンを高濃度添加した砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
-
28p-P-4 FZ_Siにおける電子線照射欠陥の回復機構
-
13a-DK-6 Si中の電子線照射誘起欠陥の焼鈍挙動 : 陽電子寿命測定法による分析
-
13a-DK-4 Si中の複原子空孔に起因する赤外吸収
-
12p-DK-12 熱処理したボロン添加砒化ガリウムの光励起及び熱回復
-
12p-DK-2 シリコン中の転位とDバンド発光
-
1a-X-7 電子線照射によって生じたシリコン中原子複空孔の陽電子捕獲
-
24pY-1 強く補償したゲルマニウム添加砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
-
30a-YK-1 ゲルマニウム添加砒化ガリウムの時間分解フォトルミネッセンススペクトル
-
22aPS-70 スピネル型Mn酸化物薄膜の赤外及びラマン散乱
-
レーザーとナノ物性 : レーザーアブレーションで創製したSiナノ構造の物性
-
陽電子消滅法によるSiGe中の電子線照射欠陥の研究(I)
-
17pTG-9 シリコン中の水素・点欠陥複合体濃度の電子照射温度依存性
-
1p-T-2 結晶シリコン中の水素分子の検出とその挙動
-
水素原子処理シリコン結晶中の水素分子
-
27p-H-8 Si中の複原子空孔の陽電子消滅法を用いた研究
-
27a-ZN-4 塑性変形した半導体の陽電子消滅
-
28a-K-10 陽電子消滅法によるSi中の複原子空孔の研究
-
直接貼り合わせ法によって形成したSiウエハの人工界面の透過電顕観察
-
20pTG-6 レーザーアニールによるシリコン酸化膜中でのシリコンナノ結晶ドット形成過程(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
17pTG-10 電子照射した水素ドープCZ-Siの焼鈍挙動
-
29pYC-9 水素添加CXシリコンの電子照射誘起点欠陥-不純物複合体
-
19pXB-3 シリコン結晶中の単原子空孔 : 後藤らの論文へのコメント(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
31aYG-10 p 型シリコン結晶の電子照射誘起点欠陥による光吸収
-
30pYG-5 水素を用いたシリコン結晶中の欠陥の検出と原子空孔形成エネルギーの決定
-
水素を利用したシリコン結晶中のワトキンスの置換反応の研究 (放射線とイオンビームによる物質構造の研究と改質・合成)
-
17pTG-8 水素ガス中加熱急冷法によるシリコン中の原子空孔形成エネルギーの研究
-
24aY-1 シリコン中の水素による光吸収スペクトルの温度依存性
-
31a-ZA-6 シリコン中の水素・アクセプター対による光吸収
-
レーザーアブレーション法により生成したSiナノ細線 : 酸化による細線径および応力の制御と不純物ドーピング
-
24pYL-13 半導体結晶の硬度特性とその評価
-
28a-T-11 CZ-GeSi混晶における不純物酸素
-
31a-ZA-7 Si中の鉄水素複合体のESR法による研究
-
8p-S-4 Formation kinetics of oxygen-hydrogen pairs in silicon
-
8p-S-6 シリコン中の熱ドナーの形成過程
-
21pXA-5 光吸収法によるワトキンスの置換反応の研究
-
28aXT-8 シリコン中のボロンの拡散機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
-
21pXA-8 シリコン中の原子空孔形成エネルギーの不純物依存性
-
31aYG-9 熱処理した CZ.Si の電子照射点欠陥
-
29pYC-8 電子照射した水素添加シリコン中の水素一点欠陥複合体
-
28pYC-5 Si中の不純物対の再結合促進解離反応
-
26aYL-6 シリコン中のH_2
-
26aYL-5 シリコン中の水素・点欠陥複合体
-
3a-M-4 ゲルマニウムを添加した砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
-
27p-N-3 ゲルマニウムを添加した砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
-
22aGQ-6 不純物添加シリコン結晶中の原子空孔の形成エネルギー(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
-
24a-T-6 砒化ガリウム中のドナー・アクセプター対による発光
-
30a-YK-3 n型Si中のFe-H複合体のESR法による研究
-
31a-E-7 p型シリコン中の鉄の再結合促進原子移動
-
ESRによるFe-Ga対の光照射温度依存性
-
8p-S-5 Silicon atom as a shallow donor in hydrogenated Cz-Si crystals : an EPR study
-
シリコンナノワイヤへの不純物ドーピングと不純物の挙動 : 熱酸化過程での偏析挙動(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
-
19pAR-8 シリコン結晶中の空孔形成エネルギー : 2つの論文の批判的紹介(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
-
19pAR-9 シリコン結晶中の自己拡散の2つの活性化エネルギー(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
-
405 N-DLC/DLC多層膜の細胞親和性評価(OS5-(2)オーガナイズドセッション《ライフサポートにおける工学技術》)
-
404 磁性蛍光シリコンナノ粒子の光学特性 : サイズ依存性(OS5-(2)オーガナイズドセッション《ライフサポートにおける工学技術》)
-
MOCVD法によりシリコンウェハー上に形成した希土類酸化物からの可視発光スペクトル
-
7aSK-2 電子照射したシリコン中の原子空孔関連複合体濃度のリン濃度依存性(格子欠陥・ナノ構造,領域10)
-
25pWE-11 電子照射したn型シリコンの異常光吸収スペクトル(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
-
1p-Q-10 Si中原子空孔クラスターの陽電子消滅2次元角相関(1pQ 金属,金属)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク