17pTG-10 電子照射した水素ドープCZ-Siの焼鈍挙動

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2001-09-03

著者

• 末澤 正志

  東北大金研

• 末澤 正志

  東北大学金属材料研究所

• 末澤 正志

  東北大・金研

• 中西 晶子

  東北大学金研

関連論文

• 20pHT-10 ゲルマニウム中の酸素不純物の赤外分光法による評価(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 30a-YK-4 シリコン中の鉄の析出過程
• 酸素析出温度の異なるシリコン中の鉄のゲッタリング
• 30p-ZN-10 n型及びP型シリコン中の鉄拡散の活性化エネルギー
• 29p-K-3 シリコン中の鉄 : インジウム対形成過程
• 24a-T-4 シリコン中の鉄-アクセプタ対の形成過程
• 28a-YC-11 Si_xGe_バルク単結晶の正・逆光電子分光
• 28p-YQ-12 単結晶Si_xGe_のXPSスペクトル
• 31a-YC-2 シリコン中の水素・酸素・原子空孔複合体の形成過程
• 29p-YC-10 ゲルマニウムを添加した砒化ガリウムの励起スペクトル
• 29p-YC-9 変形したSiGe混晶のフォトルミネッセンス
• 29p-YC-7 シリコン中の鉄・ホウ素対の光誘起反応
• 4p-YG-7 Si-Geバルク単結晶の育成とフォトルミネッセンスによる評価
• 4a-YG-4 シリコン中の鉄・アクセプター対再結合促進欠陥反応
• 4a-YG-2 ゲルマニウムを添加した砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
• 28p-P-13 シリコンを高濃度添加した砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
• 28p-P-4 FZ_Siにおける電子線照射欠陥の回復機構
• 13a-DK-6 Si中の電子線照射誘起欠陥の焼鈍挙動 : 陽電子寿命測定法による分析
• 13a-DK-4 Si中の複原子空孔に起因する赤外吸収
• 12p-DK-12 熱処理したボロン添加砒化ガリウムの光励起及び熱回復
• 12p-DK-2 シリコン中の転位とDバンド発光
• 1a-X-7 電子線照射によって生じたシリコン中原子複空孔の陽電子捕獲
• 24pY-1 強く補償したゲルマニウム添加砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
• 30a-YK-1 ゲルマニウム添加砒化ガリウムの時間分解フォトルミネッセンススペクトル
• 22aPS-70 スピネル型Mn酸化物薄膜の赤外及びラマン散乱
• 24aWJ-8 軟X線光電子分光によるYbFe_2O_4の電子状態(24aWJ マルチフェロイクスなど,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 陽電子消滅法によるSiGe中の電子線照射欠陥の研究(I)
• 窒素ドープZnSeのプラズマ・アシステド・エピタキシャル成長と評価
• 17pTG-9 シリコン中の水素・点欠陥複合体濃度の電子照射温度依存性
• 27p-H-8 Si中の複原子空孔の陽電子消滅法を用いた研究
• 27a-ZN-4 塑性変形した半導体の陽電子消滅
• 28a-K-10 陽電子消滅法によるSi中の複原子空孔の研究
• 直接貼り合わせ法によって形成したSiウエハの人工界面の透過電顕観察
• 17pTG-10 電子照射した水素ドープCZ-Siの焼鈍挙動
• 29pYC-9 水素添加CXシリコンの電子照射誘起点欠陥-不純物複合体
• 19pXB-3 シリコン結晶中の単原子空孔 : 後藤らの論文へのコメント(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 31aYG-10 p 型シリコン結晶の電子照射誘起点欠陥による光吸収
• 砒化ガリウムのフォトルミネッセンス・スペクトルのゲルマニウム濃度依存性
• 水素を利用したシリコン結晶中のワトキンスの置換反応の研究 (放射線とイオンビームによる物質構造の研究と改質・合成)
• 17pTG-8 水素ガス中加熱急冷法によるシリコン中の原子空孔形成エネルギーの研究
• 24aY-1 シリコン中の水素による光吸収スペクトルの温度依存性
• 31a-ZA-6 シリコン中の水素・アクセプター対による光吸収
• 31a-ZA-5 シリコン中の二価アクセプター・水素複合体による光吸収
• 25p-T-1 シリコン中の亜鉛・水素対アクセプターによる光吸収
• 25a-T-7 電子照射した水素ドープ・シリコンの光吸収スペクトル
• 1p-T-4 シリコン中の水素関連欠陥
• 30a-YK-7 シリコン中の水素・原子空孔複合体による光吸収
• 8p-S-3 亜鉛をドープしたシリコン中の水素による光吸収
• 半導体結晶欠陥
• 水素雰囲気中で育成したシリコンの光吸収スペクトル
• シリコン中の水素関連欠陥
• 24pYL-13 半導体結晶の硬度特性とその評価
• 28a-T-11 CZ-GeSi混晶における不純物酸素
• 31a-ZA-7 Si中の鉄水素複合体のESR法による研究
• 27pTM-4 YbFe_2O_4のYbおよびFeサイト置換効果(27pTM 酸化物系,光散乱,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 8p-S-4 Formation kinetics of oxygen-hydrogen pairs in silicon
• 8p-S-6 シリコン中の熱ドナーの形成過程
• 21pXA-5 光吸収法によるワトキンスの置換反応の研究
• 28aXT-8 シリコン中のボロンの拡散機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 21pXA-8 シリコン中の原子空孔形成エネルギーの不純物依存性
• 31aYG-9 熱処理した CZ.Si の電子照射点欠陥
• 29pYC-8 電子照射した水素添加シリコン中の水素一点欠陥複合体
• 28pYC-5 Si中の不純物対の再結合促進解離反応
• 26aYL-6 シリコン中のH_2
• 26aYL-5 シリコン中の水素・点欠陥複合体
• 3a-M-4 ゲルマニウムを添加した砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
• 27p-N-3 ゲルマニウムを添加した砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
• 22aGQ-6 不純物添加シリコン結晶中の原子空孔の形成エネルギー(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 24a-T-6 砒化ガリウム中のドナー・アクセプター対による発光
• 30a-YK-3 n型Si中のFe-H複合体のESR法による研究
• 31a-E-7 p型シリコン中の鉄の再結合促進原子移動
• ESRによるFe-Ga対の光照射温度依存性
• 8p-S-5 Silicon atom as a shallow donor in hydrogenated Cz-Si crystals : an EPR study
• 19pAR-8 シリコン結晶中の空孔形成エネルギー : 2つの論文の批判的紹介(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 19pAR-9 シリコン結晶中の自己拡散の2つの活性化エネルギー(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• MOCVD法によりシリコンウェハー上に形成した希土類酸化物からの可視発光スペクトル
• 7aSK-2 電子照射したシリコン中の原子空孔関連複合体濃度のリン濃度依存性(格子欠陥・ナノ構造,領域10)
• 25pWE-11 電子照射したn型シリコンの異常光吸収スペクトル(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 1p-Q-10 Si中原子空孔クラスターの陽電子消滅2次元角相関(1pQ 金属,金属)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク