窒素ドープZnSeのプラズマ・アシステド・エピタキシャル成長と評価
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概要
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プラズマ・アシステド・エピタキシー(PAE)法を用いて窒素・水素混合プラズマ中で窒素ドープZnSe薄膜の成長を行い、ドーピング効率の高い窒素の励起状態およびキャリア密度の向上を妨げている原因について検討を行った。その結果、原子状の窒素が生成しているときに良好なp型のZnSeが得られた。また、残留不純物として金属Se中のVIIb族元素が、さらに水素がアクセプターとして働く窒素を補償していると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-10-22
著者
-
末澤 正志
東北大学金属材料研究所
-
末沢 正志
東北大学金属材料研究所
-
小野 昭一
東北大学電気通信研究所
-
濱田 智次
沖電気工業(株)デバイスビジネスグループコンポーネント事業部
-
伊藤 文俊
東北大学工学部電子工学科
-
針生 尚
東北大学工学部電子工学科
-
濱田 智次
沖電気工業
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