InSbのSi上エピタキシアル成長
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概要
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放電プラズマを用いた低温エピタキシアル成長であるPAE法(Plasma-Assisted Epitaxy)による、Si基板上へのInSbのヘテロエピタキシアル成長と、成長前の基板表面の清浄化に関するいくつかの実験結果を報告する。反射高速電子線回折(RHEED)による観測により、水素プラズマ照射によるSi表面の清浄化における表面処理法の違いが、成長膜の特性に及ぼす効果について調べ、この結果Si清浄化処理後のAs照射がSi表面を不活性化する方法として有効であり、この処理をおこなったSi(111)基板上にInSbをエピタキシアル成長させることが可能であることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-10-21
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