25pWE-11 電子照射したn型シリコンの異常光吸収スペクトル(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2002-03-01

著者

• 末澤 正志

  東北大・金研

• 粕谷 厚生

  学際センター

• 深田 直樹

  東北大・金研

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