7aSK-2 電子照射したシリコン中の原子空孔関連複合体濃度のリン濃度依存性(格子欠陥・ナノ構造,領域10)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2002-08-13

著者

• 末澤 正志

  東北大・金研

関連論文

• 20pHT-10 ゲルマニウム中の酸素不純物の赤外分光法による評価(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 29p-YC-10 ゲルマニウムを添加した砒化ガリウムの励起スペクトル
• 29p-YC-9 変形したSiGe混晶のフォトルミネッセンス
• 28p-P-13 シリコンを高濃度添加した砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
• 28p-P-4 FZ_Siにおける電子線照射欠陥の回復機構
• 12p-DK-12 熱処理したボロン添加砒化ガリウムの光励起及び熱回復
• 24pY-1 強く補償したゲルマニウム添加砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
• 22aPS-70 スピネル型Mn酸化物薄膜の赤外及びラマン散乱
• 17pTG-9 シリコン中の水素・点欠陥複合体濃度の電子照射温度依存性
• 直接貼り合わせ法によって形成したSiウエハの人工界面の透過電顕観察
• 17pTG-10 電子照射した水素ドープCZ-Siの焼鈍挙動
• 29pYC-9 水素添加CXシリコンの電子照射誘起点欠陥-不純物複合体
• 19pXB-3 シリコン結晶中の単原子空孔 : 後藤らの論文へのコメント(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 31aYG-10 p 型シリコン結晶の電子照射誘起点欠陥による光吸収
• 水素を利用したシリコン結晶中のワトキンスの置換反応の研究 (放射線とイオンビームによる物質構造の研究と改質・合成)
• 17pTG-8 水素ガス中加熱急冷法によるシリコン中の原子空孔形成エネルギーの研究
• 24aY-1 シリコン中の水素による光吸収スペクトルの温度依存性
• 31a-ZA-6 シリコン中の水素・アクセプター対による光吸収
• 21pXA-5 光吸収法によるワトキンスの置換反応の研究
• 28aXT-8 シリコン中のボロンの拡散機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 21pXA-8 シリコン中の原子空孔形成エネルギーの不純物依存性
• 31aYG-9 熱処理した CZ.Si の電子照射点欠陥
• 29pYC-8 電子照射した水素添加シリコン中の水素一点欠陥複合体
• 28pYC-5 Si中の不純物対の再結合促進解離反応
• 26aYL-6 シリコン中のH_2
• 26aYL-5 シリコン中の水素・点欠陥複合体
• 3a-M-4 ゲルマニウムを添加した砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
• 27p-N-3 ゲルマニウムを添加した砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
• 22aGQ-6 不純物添加シリコン結晶中の原子空孔の形成エネルギー(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 24a-T-6 砒化ガリウム中のドナー・アクセプター対による発光
• 7aSK-2 電子照射したシリコン中の原子空孔関連複合体濃度のリン濃度依存性(格子欠陥・ナノ構造,領域10)
• 25pWE-11 電子照射したn型シリコンの異常光吸収スペクトル(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク