中村 秀司 | 京大化研

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概要

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関連著者

• 中村 秀司

  京大化研

• 小林 研介

  京大化研

• 小野 輝男

  京都大学化学研究所

• 小野 輝男

  京大化研

• 知田 健作

  京大化研

• 山内 祥晃

  京大化研

• 橋坂 昌幸

  東工大極低温セ:東工大院物性物理

• 小野 輝男

  慶大理工

• 荒川 智紀

  京大化研

• 橋坂 昌幸

  京大化研

• 西原 禎孝

  京大化研

• 小林 研介

  (独) 物質・材料研究機構 共用ビームステーション

• 葛西 伸哉

  物質・材料研究機構磁性材料センター

• KOBAYASHI Keisuke

  Japan Synchrotron Radiation Research Institute/SPring-8

• 小野 輝男

  大阪大院基礎工

• 葛西 伸哉

  京大化研

• 関口 康爾

  京大化研

• 千葉 大地

  京大化研

• 町田 友樹

  東大生産研

• 好田 誠

  東北大院工:presto Jst

• 小林 研介

  京都大学化学研究所

• 中村 秀司

  京都大学化学研究所

• 山内 祥晃

  京都大学化学研究所

• 好田 誠

  東北大通研

• 新田 淳作

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所:科学技術振興機構 Crest-jst

• 新田 淳作

  東北大

• 葛西 伸哉

  京都大学化学研究所

• 関口 康爾

  京都大学化学研究所

• 橋坂 昌幸

  東工大理工

• 新田 淳作

  東北大院工

• 町田 友樹

  東大生産研:東大ナノ量子機構:jstさきがけ

• Leturcq R.

  IEMN-CNRS

• Ensslin K.

  スイス連邦工科大

• 湯浅 新治

  産総研

• 福島 章雄

  産総研

• 福島 章雄

  産業技術総合研究所

• Leturcq Renaud

  IEMN-CNRS

• Ensslin Klaus

  スイス連邦工科大

• 湯浅 新治

  電総研

• 橋坂 昌幸

  京都大学化学研究所

• 湯浅 新治

  慶應義塾大学理工学部:電子技術総合研究所

• 加藤 建一

  高輝度光科学研究セ

• 内海 裕洋

  三重大物工

• 湯浅 新治

  独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター

• 好田 誠

  東北大院工

• 福島 章雄

  AISTナノスピントロニクス研究センター

• 内海 裕洋

  東大物性研

• 齊藤 圭司

  東大理

• 湯浅 新治

  産業技術総合研究所

• 知田 健作

  京都大学化学研究所

• 好田 誠

  東北大工

• 新田 淳作

  東北大工

• 田中 崇大

  京大化研

• 町田 友樹

  東大生産研:東大ナノ量子

• 阪野 塁

  東大工

• 加藤 健一

  理研

• 都倉 康弘

  NTT物性基礎研

• 小林 賢介

  阪市大院理

• 葛西 伸哉

  物材研

• Helzel Andreas

  Univ. Regensburg

• Litvin Leonid

  Univ. Regensburg

• Strunk Christoph

  Univ. Regensburg

• Driscoll Daniel

  カリフォルニア大サンタバーバラ校

• Gossard Arthur

  カリフォルニア大サンタバーバラ校

• 藤井 達也

  東大物性研

• 都倉 康弘

  Ntt基礎研

• 橋板 昌幸

  京都大学化学研究所

• 藤井 達也

  東京大学物性研究所

• 湯浅 新治

  京大化研

• 都倉 康弘

  Icorp:ntt物性基礎研

• 都倉 康弘

  Ntt物性科学基礎研究所

• 荒川 智紀

  京都大学化学研究所

• 小林 賢介

  高エネ機構物構研CMRC

• 樹神 克明

  原子力研究開発機構

• 好田 誠

  JST-PRESTO

• 都倉 康弘

  ICORP-JST:NTT物性基礎研

• 齊藤 圭司

  京大理

• 小林 研介

  阪大理物

• 好田 誠

  東北大院工:JSTさきがけ

• 小林 研介

  阪大理

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著作論文

• 21aHV-4 近藤状態にある量子ドットのショットノイズ測定(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aHV-6 メゾスコピック系における負の余剰雑音の測定(20aHV 量子細線・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXD-5 電子干渉系における"Lobe構造"の観測(量子細線・量子干渉・半導体物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20aHV-5 伝導度および電流ゆらぎ測定による量子細線における動的核スピン偏極の観測(20aHV 量子細線・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXD-7 アハラノブ・ボームリングを用いた揺らぎの定理の検証II(量子細線・量子干渉・半導体物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 27aXD-6 電子Mach-Zehnder干渉計における量子干渉効果(量子細線・量子干渉・半導体物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXD-2 量子ホール効果ブレークダウン領域における電流ゆらぎ測定(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 30aTX-6 Aharonov-Bohm ringを用いたゆらぎの定理の検証(30aTX 量子ドット・量子干渉(非平衡・非線形伝導),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aTX-5 Aharonov-Bohm ringにおける非線形伝導(30aTX 量子ドット・量子干渉(非平衡・非線形伝導),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pPSB-58 メゾスコピック三端子素子における電流相関測定の試み(27pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pPSB-57 極低温における高感度の量子雑音測定系の開発(27pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aYF-7 静電制御された量子ポイントコンタクトにおけるショット雑音(22aYF 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aYF-6 量子ポイントコンタクトにおける量子雑音放射の熱的検出(22aYF 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aPS-9 量子ドットにおけるショット雑音測定(20aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWJ-4 量子ポイントコンタクトによる量子ショット雑音の非局所検出(量子細線,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23aWJ-5 量子ポイントコンタクトにおける"0.7構造"の静電ポテンシャル制御(量子細線,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pPSB-64 量子ドットにおける量子雑音測定の試み(ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22aPS-116 量子ポイントコンタクトの極低温における伝導度測定(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTG-12 極低温における量子ポイントコンタクトのショットノイズ測定(量子細線,量子井戸・超格子,輸送現象,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pPSB-17 低温における量子雑音測定システムの開発(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aWP-6 トンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音及び1/f雑音測定(24aWP 磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23pPSB-62 電子系におけるマッハツェンダー干渉計の作製と評価(23pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 23aXA-2 伝導度および電流ゆらぎ測定による量子細線における動的核スピン偏極の観測II(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 26aHD-4 トンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音及び1/f雑音測定II(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aPS-90 InGaAs二次元電子系に作製した量子ポイントコンタクトにおける非平衡電流雑音測定(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aHD-9 InGaAs二次元電子系上に作製した量子ポイントコンタクトにおける電流雑音測定(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pHD-3 近藤状態にある量子ドットにおける非平衡電流揺らぎ(28pHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pHG-13 量子ホール状態の崩壊に伴う電流ゆらぎの観測(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aRA-6 トンネル磁気抵抗素子における電子のアンチバンチングの観測(23aRA スピントロニクス(磁化制御・磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pPSA-7 InGaAs二次元電子系に作製した量子ポイントコンタクトにおける電流揺らぎ測定II(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTM-4 InGaAs二次元電子系上に作製した量子ポイントコンタクトにおける電流雑音測定(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTL-5 InGaAs量子ポイントコンタクトを用いたRashbaスピン軌道相互作用による電気的スピン生成(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aTL-10 電流ゆらぎ測定による量子ホール効果ブレークダウン前駆現象の観測(23aTL 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pSA-11 電流ゆらぎ測定による量子ホール効果ブレークダウン前駆現象の観測II(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pCE-3 アハラノフ・ボームリングにおける非平衡揺らぎ関係(26pCE 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aFB-4 InGaAs量子細線におけるコヒーレントな伝導チャネルの形成(21aFB 量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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