大容量スピンRAMの実現に向けた垂直磁化MTJの開発 (特集 磁性薄膜研究の最前線(1)合金薄膜形成技術)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- MgOバリアを用いたMTJ素子におけるスピントルク磁化反転
- L1_0型垂直磁化膜におけるスピン注入磁化反転とスピンRAMへの応用可能性
- 23pWL-13 トンネル磁気抵抗素子に加わるスピントルクのバイアス電圧依存性(23pWL 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- スピンダイス : 磁気抵抗素子を用いた物理乱数発生器
- 4E-1 スピン注入磁化反転を用いた乱数発生器(セキュリティ(1),一般セッション,セキュリティ)
- Cu-Ni/Ru素子におけるペルチェ効果に対するCu-Ni膜厚の影響
- スピンを用いた物理乱数発生器「スピンダイス」
- 面内および垂直磁化ナノピラーのスピン注入による高速磁化反転
- 大容量スピンRAMの実現に向けた垂直磁化MTJの開発 (特集 磁性薄膜研究の最前線(1)合金薄膜形成技術)
- 27pKF-4 非線形熱励起による低周波磁気ノイズ(スピントロニクス(磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 不揮発性メモリMRAMの現状と将来展望(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))