28aYE-4 強磁性体/超伝導体/強磁性体2重トンネル接合におけるスピン注入と磁気抵抗
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概要
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最近, スピン偏極電子トンネリングと呼ばれる現象が注目を集めている。この基本的概念は, 1970年代に遷移金属強磁性体(Fe, Co, Ni)と超伝導体(AI)からなる強磁性/超伝導トンネル接合においてスピン偏極したトンネル電流が観測されたことからきている。スピン偏極電子トンネリングの重要性が飛躍的に増したのは, 薄い絶縁膜を強磁性金属で挟んだ強磁性トンネル接合において大きな磁気抵抗効果(TMR)が見出されたことによる。トンネル障壁を電荷とスピンの自由度を持った電子がどの様にトンネルするかという最も基本的な量子力学的問題ばかりでなく, 応用上でも磁気ヘッドや磁気メモリー(MRAM)などスピン・エレクトロニクス(スピントロクス)と呼ばれる分野が急速に生まれつつある。[1]
- 2001-03-09
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