安藤 功兒 | 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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概要
関連著者
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安藤 功兒
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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安藤 功兒
産業技術総合研究所
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齋藤 秀和
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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産業技術総合研
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(独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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山形 伸二
東邦大学
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Zayets V
産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門
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Zayets V.
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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Nanoelectronics Research Institute Aist
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電総研
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東大理
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産総研
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産総研
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原研 SPring-8
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湯浅 新治
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原子力機構
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東大新領域
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原子力機構
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湯浅 新治
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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安藤 功兒
産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門
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東大理
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原子力機構放射光
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原子力機構
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理研
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寺井 恒太
原子力機構SPring-8
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Jaeri
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東邦大
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電総研
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慶應義塾大学理工学部:電子技術総合研究所
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広大院先端物質
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産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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Zayets Vadym
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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品川 公成
東邦大学理学部
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山形 伸二
東邦大学理学部
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斎藤 秀和
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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安藤 功兒
(独)産業技術総合研究所
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東邦大 理
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原子力機構放射光
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原子力機構放射光
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小林 啓介
JASRI SPring-8
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石田 洋一
東京工業大学 応用セラミックス研究所
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Huang D.
NSRRC
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Chen C.
NSRRC
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Lin H.-J.
NSRRC
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小林 正起
東大院工
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東大物性研
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藤森 淳
東大新領域
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田中 新
広大先端物質
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川崎 雅司
東工大総理工
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石田 行章
東大理
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宋 敬錫
東大理
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NSRRC
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東工大工材研
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鯉沼 秀臣
東京大学工学部工業化学科
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鈴木 義茂
電総研
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産総研
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東大工
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福村 知昭
東北大金研:科技機構さきがけ
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藤森 伸一
原研放射光
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武田 幸治
広大放射光セ
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小林 啓介
JASIRI
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Yang C.-S.
NSRRC
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Huang D.-J.
NSRRC
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石田 洋一
東京大学工学部
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竹田 幸治
原研放射光
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岡根 哲夫
原研放射光
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原研放射光
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安藤 功兒
電子技術総合研究所
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藤森 伸一
原研機構放射光
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東工大応セラ研
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原子力機構
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福村 知昭
東工大総理工
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金 政武
東工大総理工
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齋藤 祐児
原研
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村松 康司
兵庫県立大物質理:原子力機構放射光
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バジム ザエツ
キエフ大学
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ZAETS Wadim
電子技術総合研究所
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電総研
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電子技術総合研究所
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ザエツ バジム
キエフ大学
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松本 祐司
東京工大 応用セラミックス研
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東邦大学
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寺井 恒太
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山上 浩志
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生研
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鯉沼 秀臣
(独)科学技術振興機構 研究開発戦略センター
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鯉沼 秀臣
東京工業大学
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DEBNATH Mukul
JSPSフェロー
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安藤 功兒
東邦大学理学部
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Zayets Vadim
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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ZAETS W.
産総研
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斎藤 祐二
大阪大学基礎工学部
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品川 公成
東邦大学 理学部
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小林 正樹
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電子技術総合研究所
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山上 浩志
原子力機構
著作論文
- 22aTG-10 II-VI族希薄磁性半導体Zn_Cr_xTeの局所的電子構造(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pSB-3 酸化物希薄磁性半導体Zn_TM_xO(TM:遷移金属)の磁気光学スペクトル
- 28aTB-6 新III-V 族希薄磁性半導体Ga_Cr_xAsの伝導特性
- 23pSB-12 III-V族新希薄磁性半導体(Ga,Cr)Asの磁気的性質
- 22aYC-2 Zn_Cr_xTeの光電子分光と内殻磁気円二色性(磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aXJ-1 II-V族希薄磁性半導体Zn_Cr_xTeの光電子分光とX線吸収分光(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 金属/絶縁体/半導体(MIS)磁気トンネルダイオードにおけるスピン依存伝導
- 金属/絶縁体/半導体(MIS)磁気トンネルダイオードの作製とスピン依存伝導特性 : スピン・トンネルトランジスタの実現を目指して
- GaMnAs系MTJにおけるスピン依存伝導特性
- MCD分光法で探る強磁性半導体の電子構造
- エピタキシャル(Zn, Cr)Te/GaAs/(Ga, Mn)As三層構造の磁気的性質
- 希薄磁性半導体 : 新材料開発と課題
- II-VI族希薄磁性半導体Zn_Cr_xTeの磁気的性質に及ぼすZn/Te供給比の影響
- 室温で強磁性を示す希薄磁性半導体(Zn,Cr)Te
- 希薄磁性半導体(Zn, Cr)Teにおける巨大磁気抵抗効果
- 希薄磁性半導体(Zn, Cr)Teの磁気的性質に及ぼすZn/Te供給比の影響
- 希薄磁性半導体Zn_Cr_xTeの強磁性特性(磁性体物理)
- 高濃度Crドープ希薄磁性半導体Zn_Cr_xTeの強磁性特性
- II-VI族希薄磁性半導体Zn_Cr_xTeにおける強磁性の発現
- スピントロニクスと半導体
- 12pXA-3 磁気円二色性分光から見た磁性半導体の電子構造(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 3)