安藤 功兒 | 産総研
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概要
関連著者
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安藤 功兒
産総研
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安藤 功兒
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JASRI SPring-8
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キャノンアネルバ
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永峰 佳紀
キャノンアネルバ
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恒川 孝二
キャノンアネルバ
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前原 大樹
キヤノンアネルバ株式会社
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永峰 佳紀
キヤノンアネルバ株式会社
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恒川 孝二
キヤノンアネルバ株式会社
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久保田 均
産業技術総合研究所
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水口 将輝
阪大院基礎工
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ダビッド ジャヤプラウィラ
アネルバ株式会社
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石田 行章
東大物性研
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藤森 淳
東大新領域
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田中 新
広大先端物質
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石田 行章
東大理
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宋 敬錫
東大理
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Lee L.
NSRRC
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大石 恵
阪大基礎工
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鈴木 義茂
電総研
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湯浅 新治
電総研
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久保田 均
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
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大石 恵
阪大院基礎工
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ダビッド ジャヤプラウィラ
キヤノンアネルバ
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山形 伸二
東邦大学
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水口 将輝
東北大金研
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水口 将輝
東北大学金属材料研究所
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藤森 伸一
原研放射光
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武田 幸治
広大放射光セ
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小林 啓介
JASIRI
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Yang C.-S.
NSRRC
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Huang D.-J.
NSRRC
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竹田 幸治
原研放射光
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岡根 哲夫
原研放射光
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村松 康司
原研放射光
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藤森 伸一
原研機構放射光
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原研機構放射光
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阿部 正紀
東工大
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白石 誠司
大阪大学大学院基礎工学研究科
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斎藤 祐児
原子力機構
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ダビッド ジャヤプラウィラ
キャノンアネルバ
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ジャヤプラウィラ ダビッドd.
キャノンアネルバ
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齋藤 祐児
原研
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齋藤 秀和
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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村松 康司
兵庫県立大物質理:原子力機構放射光
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バジム ザエツ
キエフ大学
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湯浅 新治
慶應義塾大学理工学部:電子技術総合研究所
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ザエツ バジム
キエフ大学
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寺井 恒太
原研機構放射光
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岡根 哲夫
原研機構放射光
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山上 浩志
原研機構放射光
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斎藤 祐司
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斎藤 祐児
原研機構放射光
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ZAETS W.
産総研
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斎藤 祐二
大阪大学基礎工学部
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小林 正樹
山梨工大
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久保田 均
産業技術総合研
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安藤 功兒
産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門
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前原 大樹
産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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山上 浩志
原子力機構
著作論文
- スピトルクダイオードと負性抵抗効果
- 22aTG-10 II-VI族希薄磁性半導体Zn_Cr_xTeの局所的電子構造(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22aYC-2 Zn_Cr_xTeの光電子分光と内殻磁気円二色性(磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aXJ-1 II-V族希薄磁性半導体Zn_Cr_xTeの光電子分光とX線吸収分光(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 第40回光スピニクス専門研究会「ワイドバンドギャップ希薄磁性半導体」〈学会・研究会報告〉
- II-VI族希薄磁性半導体Zn_Cr_xTeにおける強磁性の発現