Zayets V. | 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

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概要

• 同名の論文著者
• 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門の論文著者

関連著者

• Zayets V.

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• Zayets Vadym

  Nanoelectronics Research Institute Aist

• 安藤 功兒

  産業技術総合研究所

• 安藤 功兒

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• Zayets V

  産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門

• 安藤 功兒

  産業技術総合研

• 齋藤 秀和

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 山形 伸二

  東邦大学

• 安藤 功兒

  (独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• Zayets Vadym

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 安藤 功兒

  産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門

• 斎藤 秀和

  産総研

• Zayets Vadym

  Nanoelectronics Research Institute National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology

• ANDO Koji

  Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

• DEBNATH Mukul

  JSPSフェロー

• 山形 伸二

  東邦大学理学部

• 斎藤 秀和

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• Zayets Vadim

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• Ando Koji

  Nanoelectronics Research Institute Aist

• Ando Koji

  Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1, Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan

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著作論文

• MCD分光法で探る強磁性半導体の電子構造
• 希薄磁性半導体 : 新材料開発と課題
• 室温で強磁性を示す希薄磁性半導体(Zn,Cr)Te
• 希薄磁性半導体Zn_Cr_xTeの強磁性特性(磁性体物理)
• 高濃度Crドープ希薄磁性半導体Zn_Cr_xTeの強磁性特性
• Active isolator - a new design with optical amplifier

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