GaMnAs系MTJにおけるスピン依存伝導特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2006-01-30
著者
-
湯浅 新治
産業技術総合研究所
-
安藤 功兒
産業技術総合研究所
-
湯浅 新治
電総研
-
齋藤 秀和
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
安藤 功兒
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
湯浅 新治
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
安藤 功兒
産業技術総合研
関連論文
- 20aPS-22 スピネル型強磁性絶縁体を用いたMTJの作製と評価(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pWD-8 Fe/MgO(001)/Fe磁気トンネル接合のMgO絶縁層に接したWedge状鉄薄膜の磁気モーメント(薄膜・人工格子磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- MgO-MTJおよびCPP-GMRにおけるスピントルク発振 : 発振の高出力化および高周波化にむけて
- 強磁性トンネル接合素子におけるスピントルク発振の磁場方位依存性
- スピン注入素子の高周波特性 : 発振・ダイオード効果とマグネティックノイズ
- MgOバリアを用いたMTJ素子におけるスピントルク磁化反転
- 18pZC-3 トンネル磁気抵抗素子の磁気共鳴ノイズ特性(18pZC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aXH-7 CoFeB/MgOトンネル界面に挿入した超薄金属Mg層の酸化状態(23aXH 薄膜,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 極薄Mg層を挿入したMgO障壁層を用いた磁気トンネル接合に関する評価
- MgOバリアを用いたMTJにおけるスピン注入磁化反転
- 24aXN-1 Fe/MgO/Fe強磁性トンネル接合の非弾性電子トンネル分光(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,トンネル分光,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28aXA-4 Co超薄膜のhcp/bcc構造相転移と内殻磁気円二色性
- MgOトンネル障壁を用いた超低抵抗MTJ素子技術
- スピトルクダイオードと負性抵抗効果
- Co-Fe及びCo-Fe-Bフリー層を用いたCPP-GMR素子のスピン注入磁化反転特性(薄膜)
- 22aQG-4 γ-Fe_2O_3を障壁層に用いたスピンフィルター型MTJ(22aQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aPS-8 γ-Fe_2O_3を障壁層に用いたスピンフィルター型MTJの作製(23aPS ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22aPS-76 スピネルフェライトFe_O_4を用いたMTJの作製(領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子,スピングラス,量子スピン系),領域3,磁性,磁気共鳴)
- L1_0型垂直磁化膜におけるスピン注入磁化反転とスピンRAMへの応用可能性
- 全エピタキシャルFe(001)/MgO(001)/Fe(001) 磁気トンネル接合のMgOバリアーを介した磁気層間結合
- 19aZC-11 極磁気Kerr効果によるFe/Ag(001)-Wedge/Fcサンドイッチ膜の量子井戸振動(19aZC 薄膜・人工格子磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- MgO(001)トンネル障壁のトンネル磁気抵抗効果と界面状態
- MgO(001)トンネル障壁界面Fe(001)単原子層の磁気状態 : X線吸収及びX線磁気円二色性による研究(薄膜)
- トンネル磁気抵抗効果のFe(001)電極膜厚依存性(薄膜)
- MgO(001)トンネル障壁界面Fe(001)単原子層の磁気状態 : X線吸収及びX線磁気円二色性による研究
- トンネル磁気抵抗効果のFe(001)電極膜厚依存性
- 高真空レーザ蒸着によるFePt合金薄膜の成長
- レーザーアブレーション法によるBaフェライト薄膜の作製
- スピントロニクス技術による不揮発エレクトロニクスの創成--究極のグリーンIT機器の実現に向けて
- 結晶MgOトンネル障壁のコヒーレントなスピン依存トンネル伝導と巨大TMR効果
- 23aE-12 単結晶電極を持つ強磁性トンネル接合のdI/dV測定
- 23aE-11 トンネル磁気抵抗効果のバイアス依存性と温度依存性
- 23aE-10 磁性体トンネル接合のスピン偏極バリスティック伝導理論
- Al_2O_3反応性蒸着による強磁性トンネル接合の作製
- 25aYQ-7 磁場変調を用いたスピン偏極STMの試み
- 31p-YM-10 Au/Fe-wedge/Au 三層膜の内殻吸収磁気円二色性
- 23aPS-19 強磁性細線のノイズ測定(23aPS ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 18pZC-1 強磁性細線の高周波電流整流効果(18pZC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 高密度スピントルクMRAMの実現に向けて
- 23pWL-13 トンネル磁気抵抗素子に加わるスピントルクのバイアス電圧依存性(23pWL 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 18pTB-11 トンネル磁気抵抗素子の構造と伝導特性の相関(18pTB 磁気共鳴一般,実験技術開発,磁性一般,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23pXH-9 微小磁性体のFMR測定II(23pXH 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24pPSB-7 Co/Ir多層膜における層間磁気結合
- 28aTB-6 新III-V 族希薄磁性半導体Ga_Cr_xAsの伝導特性
- 18aPS-7 γ-Fe_2O_3障壁層をもつスピンフィルター型磁気トンネル接合の作製(18aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aPS-3 マグヘマイト障壁層をもつスピンフィルタ型MTJの作製(23aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23pE-11 強磁性探針を用いたSTMによるスピントンネリングの測定
- 23pE-9 微細加工された強磁性細線の偏光顕微鏡による観察
- 微細加工された強磁性細線の磁区と磁壁の運動II マイクロマグネティックスシミュレーション
- 微細加工された強磁性細線の磁区と磁壁の運動1 偏光顕微鏡による観察
- 24aWP-6 トンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音及び1/f雑音測定(24aWP 磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23pYB-9 結晶電極を持つTMR素子界面のX線吸収とX-MCDによる評価
- CPP構造微小金属接合におけるペルチェ冷却効果
- スピンダイス : 磁気抵抗素子を用いた物理乱数発生器
- 4E-1 スピン注入磁化反転を用いた乱数発生器(セキュリティ(1),一般セッション,セキュリティ)
- 超臨界CO_2リフトオフによる微小トンネル接合の作成
- 24pPSB-39 (10-0)hcp Co 微粒子格子の角度依存磁化反転過程
- 26pPSA-38 エピタキシャル(10・0)Coドット格子の磁気異方性と磁化状態
- 29p-J-3 エピタキシャル(10・0)Coドット格子の磁化容易軸再配列
- 磁気トンネル接合のTMR効果と共鳴トンネル効果(最近の研究から)
- 磁気トンネル接合のTMR効果と共鳴トンネル効果
- 単結晶電極をもつ強磁性トンネル接合のトンネル磁気抵抗効果
- Fe(100)強磁性トンネル接合の量子井戸効果 : 磁気抵抗効果・交換結合
- TMRの量子サイズ効果とその応用(共鳴トンネルトランジスタに向けて)
- 18pWA-4 スピン偏極量子井戸準位へのトンネル電子の注入
- 強磁性トンネル接合のTMR効果と量子サイズ効果
- 29pYB-5 単結晶電極を持つ磁性金属トンネル接合の微分抵抗とトンネル分光
- 29pYB-3 超薄バリア層のトンネル磁気抵抗効果
- 23pYB-8 単結晶磁性金属電極及び超伝導電極を用いたトンネル分光測定
- Al_2O_3/Fe界面のFe1原子層の電子状態のX線吸収による評価
- 単結晶Fe電極を持つトンネル接合のトンネル分光
- 金属/絶縁体/半導体(MIS)磁気トンネルダイオードにおけるスピン依存伝導
- 金属/絶縁体/半導体(MIS)磁気トンネルダイオードの作製とスピン依存伝導特性 : スピン・トンネルトランジスタの実現を目指して
- GaMnAs系MTJにおけるスピン依存伝導特性
- MCD分光法で探る強磁性半導体の電子構造
- エピタキシャル(Zn, Cr)Te/GaAs/(Ga, Mn)As三層構造の磁気的性質
- 希薄磁性半導体 : 新材料開発と課題
- 室温で強磁性を示す希薄磁性半導体(Zn,Cr)Te
- 希薄磁性半導体(Zn, Cr)Teにおける巨大磁気抵抗効果
- 希薄磁性半導体(Zn, Cr)Teの磁気的性質に及ぼすZn/Te供給比の影響
- 希薄磁性半導体Zn_Cr_xTeの強磁性特性(磁性体物理)
- 高濃度Crドープ希薄磁性半導体Zn_Cr_xTeの強磁性特性
- II-VI族希薄磁性半導体Zn_Cr_xTeにおける強磁性の発現
- 27aPS-2 Co/Irウェッジ三層膜における層間磁気結合 III
- 24pPSA-33 Co/Ir ウェッジ三層膜における層間磁気結合II
- 24aS-10 Co/Irウエッジ三層膜における層間磁気結合
- 27aPS-29 エピタキシャルCo(10.0)矩形ドット格子における磁化反転過程
- 24pZD-2 MgO(001)トンネル障壁のスピン依存トンネルの理論予測と巨大TMR効果の実現(24pZD 領域10,領域3,領域4,領域8合同シンポジウム:計算機ナノマテリアルデザインとスピントロニクス〜成功物語と将来展望〜,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24pZD-2 MgO(001)トンネル障壁のスピン依存トンネルの理論予測と巨大TMR効果の実現(24pZD 領域10,領域3,領域4,領域8合同シンポジウム:計算機ナノマテリアルデザインとスピントロニクス〜成功物語と将来展望〜,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- Cu-Ni/Ru素子におけるペルチェ効果に対するCu-Ni膜厚の影響
- スピンを用いた物理乱数発生器「スピンダイス」
- MgO障壁強磁性トンネル接合素子を用いたスピントルク発振の高出力化に向けて(映像情報機器および一般)
- 面内および垂直磁化ナノピラーのスピン注入による高速磁化反転
- MgO障壁強磁性トンネル接合素子を用いたスピントルク発振の高出力化に向けて(映像情報機器,一般)
- 26aHD-4 トンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音及び1/f雑音測定II(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- MgO障壁強磁性トンネル接合素子を用いたスピントルク発振の高出力化に向けて
- 23aRA-6 トンネル磁気抵抗素子における電子のアンチバンチングの観測(23aRA スピントロニクス(磁化制御・磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27pKF-4 非線形熱励起による低周波磁気ノイズ(スピントロニクス(磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 酸化マグネシウムMTJ素子を中心としたスピントロニクス技術の進展
- 不揮発性メモリMRAMの現状と将来展望(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))