動力学的手法を用いたp型Geへの室温スピン注入(映像情報機器、一般)
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概要
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ゲルマニウム(Ge)は半導体の中でも高い電界効果移動度を有する材料であり、かつ、その結晶成長技術の向上により、近年、CMOSへの応用と同時に、スピントロニクスへの展開が非常に注目されている。Geチャネルを用いたスピンデバイスの実現には室温でのスピン注入の達成とGe中のスピン輸送特性の理解が必須である。本研究ではスピン注入の確かな達成を目指し、動力学的手法であるスピンポンピングによりp型Geへ純スピン流を生成し、Geの逆スピンホール効果による起電力の検出に成功、即ち、p型Geへの室温スピン注入を初めて達成した。更にp型Geに生成されたスピン流から電荷電流への変換効率、即ちスピンホール角を評価した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-01-18
著者
-
新庄 輝也
京大 化研
-
白石 誠司
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
新庄 輝也
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
Shinjo Teruya
Chemical Research Institute Kyoto University
-
Shigematsu Toshihiko
Institute For Chemical Research Kyoto University:(present Address)konan University
-
仕幸 英治
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
浜屋 宏平
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
山田 晋也
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
小池 真利子
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
安藤 裕一郎
大阪大学大学院基礎工学研究科
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