スピンポンピングを用いたp型Siへの室温スピン注入とスピン輸送(映像情報機器及び一般)
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概要
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Siは結晶の反転対称性が良いことに起因してスピン軌道相互作用が小さく、半導体材料の中でもスピンコヒーレンスがよい。これまでにn型Siにおいて電気的スピン注入及び室温スピン輸送が報告されているが、p型Siでの室温報告はない。Siを用いたスピンデバイスの開発にはp型Siでの室温スピン輸送の実証と物性解明が必要である。本研究では、従来の電気的手法とは異なり、ダイナミカルな手法であるスピンポンピング法を用いたスピン注入技術による純スピン流生成および、固体中の相対論的効果である逆スピンホール効果によるスピン検出技術を用いることにより、p型Siにおける室温スピン注入とスピン輸送の実証に初めて成功した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-01-12
著者
-
安藤 和也
慶大理工:東北大金研
-
安藤 和也
東北大学金属材料研究所
-
齊藤 英治
東北大学金属材料研究所
-
白石 誠司
阪大院基礎工
-
新庄 輝也
阪大院基礎工
-
齊藤 英治
慶大理工:東北大金研:jstさきがけ
-
齊藤 英治
東北大金研:jstさきがけ
-
齋藤 英治
東北大金研:jstさきがけ
-
新庄 輝也
京大 化研
-
白石 誠司
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
新庄 輝也
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
斉藤 英治
慶大・理工
-
斎藤 英治
東大工
-
Shinjo Teruya
Chemical Research Institute Kyoto University
-
Shibuya T
Univ. Tokyo Tokyo Jpn
-
Shigematsu Toshihiko
Institute For Chemical Research Kyoto University:(present Address)konan University
-
久保 和樹
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
仕幸 英治
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
SHINJO Teruya
Institute for Chemical Research, Kyoto University
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