磁性金属超薄膜の量子井戸準位に起因する新しい磁気光学効果
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概要
著者
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片山 利一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
片山 利一
電子技術総合研究所
-
鈴木 義茂
電子技術総合研究所
-
Geerts Wim
Texas Univ.
-
GEERTS Wim
電子技術総合研究所
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