1-3 22nm以細対応マルチゲートFinFETデバイス技術(1.CMOS技術の最前線,<特集>世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)

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概要

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• 22nm技術世代以細の集積回路における最大の課題は,微細化に伴う待機時消費電力の増大と,顕在化する特性ばらつきをいかに抑え込むか,である.FinFETを代表とするマルチゲートトランジスタは,それら双方の課題を解決し得る素子として注目を浴びている.本稿では,マルチゲートFinFETの特徴,22nm以降の技術世代での実用に際しての課題とその解決策,更に,マルチゲートFinFETの新展開について論じる.

• 2012-11-01

著者

• 昌原 明植

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 昌原 明植

  独立行政法人産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

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