山内 洋美 | 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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概要
関連著者
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山内 洋美
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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松川 貴
産業技術総合研究所
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松川 貴
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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松川 貴
連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所
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大内 真一
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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柳 永勲
産業技術総合研究所
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大内 真一
産業技術総合研究所
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遠藤 和彦
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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松川 貴
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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柳 永〓
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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山内 洋美
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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昌原 明植
連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所
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遠藤 和彦
産業技術総合研究所
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塚田 順一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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坂本 邦博
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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柳 永〓
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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石川 由紀
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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昌原 明植
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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昌原 明植
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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山内 洋美
産業技術総合研究所
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松川 貴
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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遠藤 和彦
産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門
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石川 由紀
産業技術総合研究所
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昌原 明植
産業技術総合研究所
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塚田 順一
産業技術総合研究所
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中川 格
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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関川 敏弘
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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大内 真一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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小池 汎平
産業技術総合研究所
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関川 敏弘
産業技術総合研究所
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坂本 邦博
産業技術総合研究所
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小池 汎平
産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門エレクトロインフォマティックスグループ
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柳 永〓
産業技術総合研究所
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亀井 貴弘
明治大学理工学部電気電子生命学科
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林田 哲郎
明治大学理工学部電気電子生命学科
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小椋 厚志
明治大学理工学部電気電子生命学科
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小椋 厚志
明治大学理工学部
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森田 行則
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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水林 亘
産業技術総合研究所
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右田 真司
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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水林 亘
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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森田 行則
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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小椋 厚志
明治大学理工学研究科
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長尾 昌善
産業技術総合研究所
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金丸 正剛
産業技術総合研究所
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山本 恵彦
独立行政法人産業技術総合研究所 中央第2エレクトロニクス研究部門
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水林 亘
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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太田 裕之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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右田 真司
産業技術総合研究所
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太田 裕之
産業技術総合研究所
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遠藤 和彦
独立行政法人 産業技術総合研究所
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佐藤 貴伸
筑波大学 物理工学系
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小池 汎平
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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森田 行則
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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中川 格
独立行政法人産業技術総合研究所
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関川 敏弘
独立行政法人産業技術総合研究所
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小池 汎平
産業技術総合研究所情報処理研究部門
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右田 真司
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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伊藤 順司
電子技術研究所
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鈴木 英一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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伊藤 順司
産業技術総合研究所
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山本 恵彦
筑波大学物理工学系
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佐藤 貴伸
筑波大学物理工学系
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森田 行則
産業技術総合研究所
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昌原 明植
独立行政法人 産業技術総合研究所
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柳 永〓
独立行政法人 産業技術総合研究所
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松川 貴
独立行政法人 産業技術総合研究所
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中川 格
産業技術総合研究所
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山本 恵彦
筑波大学・物理工学系
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山内 洋美
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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石川 由紀
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小池 汎平
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坂本 邦博
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昌原 明植
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金丸 正剛
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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森田 行則
半導体MIRAI-産総研ASRC
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右田 真司
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森田 行則
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
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石川 由紀
産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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森田 行則
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山内 洋美
産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
著作論文
- 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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- Si FEAのHfC被覆による特性改善 : 引出ゲート付きHfC被覆Si FEAの作製と評価
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- 14nm世代以降に向けたアモルファス金属ゲートによるFinFETのV_tおよびG_mばらつき抑制技術(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))