第3回極限場国際シンポジウム「ナノ構造の創製」
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
27aZC-10 自己形成量子リングの光学探査(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
-
31p-PSB-33 S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測II
-
21pTR-6 GaAs量子ドットの共鳴励起発光と励起子ダイポールモーメント(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
-
27aWA-7 単一量子ドットの共鳴励起発光と励起子ラビ振動(27aWA 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
-
24aPS-85 GaAs量子ドット発光の位相緩和(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
-
12aXD-10 単一量子ドット発光の自己相関測定(微粒子・ナノ結晶, 領域 5)
-
低エネルギー集束GaイオンビームのCaAs基板への照射効果
-
27aXC-3 自己形成量子リングの強磁場発光特性(27aXC 光応答・量子閉じ込め,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
低エネルギー集束イオンビームによるGaAs微細構造の作製
-
15pXG-4 As 安定化 GaAs(001)-c(4×4) 表面における安定および準安定構造(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
-
28pWP-11 走査トンネル顕微鏡によるSi(100)表面の構造操作(表面界面構造(半導体))(領域9)
-
28aWP-1 Ga安定化GaAs(001)表面原子配列の評価(表面界面構造(半導体))(領域9)
-
23aYD-1 極低温 STM を用いた Si(100) 表面の研究
-
22aYD-1 As 被覆率に依存した二種類の GaAs(001)-c(4x4) 構造
-
Cs補正HAADF-STEMによるAlGaAs中のGaAs量子リングの観察
-
液滴エピタキシー法によるナノリング構造の自己形成(量子ドットの使い方)
-
20pPSB-11 二分割GaAs量子ドット構造の作製とその光学(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
-
格子整合系GaAs/AlGaAs量子ドットの液滴エピタキシーによる作製と光学特性評価
-
12aXD-9 ラマン分光による InGaAs 量子ドットのバリア障壁の解析(微粒子・ナノ結晶, 領域 5)
-
28pPSB-27 GaAs(001)-c(4x4) 表面上における Ga-As dimer の欠陥構造
-
19pRG-5 GaAs単一量子ドットの発光スペクトル
-
18aPS-28 GaAs量子ドットにおけるサブレベル間緩和過程
-
その場STM観察によるGaAs(001)表面のGa原子吸着ダイナミクス
-
InGaAs量子ドットのSPEED法による作製とその光学特性
-
7a-PS-55 S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測IV
-
S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測III
-
30a-PS-26 S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測
-
第3回極限場国際シンポジウム「ナノ構造の創製」
-
液滴エピタキシィ法によるGaAsエピタキシャル微結晶の作製
-
液滴エピタキシー法によるGaAs量子ドットの作製
-
7aSM-1 GaAs(001)-c(4×4)表面に対する新たな構造モデルの提唱(表面界面構造・電子物性,領域9)
-
27pYF-9 Ga安定化GaAs(001)表面の構造評価(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク