7aSB-4 希薄磁性半導体(Cd. Mn) Teにおける光照射効果(磁性半導体,領域4)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2002-08-13

著者

• 瀬戸 悟

  石川工業高専

• 山崎 和良

  東工大院理工

• 南 不二雄

  東工大院理

• 黒田 隆

  東工大院理

関連論文

• 22pPSB-29 単一GaAs量子ドット内の多励起子状態による相関光子対放出(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
• 20pHK-8 CdSe/ZnSコア-シェル型量子ドットの発光寿命の粒子濃度依存性(20pHK 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 22pPSB-1 チップ増強型ラマン分光プローブの作成(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
• 27aPS-101 近接場分光法を用いたフォトニック結晶中の光伝播特性の観察(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 21aHL-5 InGaN薄膜の発光ダイナミクスにおけるチップ増強効果(21aHL 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
• 真空蒸着法を用いたAgInS_2薄膜の作製と評価
• 21aTR-1 強度相関によるGaAs量子ドットの多励起子構造(微粒子・ナノ結晶,その他,領域5,光物性)
• 23pPSB-32 Ge/Si量子ドットの顕微ラマン分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 19pPSA-41 半導体単一量子ドットの励起子発光の強度相関II(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 22pPSA-45 InAs 量子ドット中の励起子緩和におけるボトルネック効果
• 18pWF-9 金属内包フラーレンLa@C_薄膜の誘電応答
• 24aYG-8 微粒子マニピュレーションによるフォトニッククラスタの作製と光伝播特性II(領域5,領域1合同講演 フォトニック結晶,顕微,近接場分光,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 24aYG-8 微粒子マニピュレーションによるフォトニッククラスタの作製と光伝播特性II(フォトニック結晶,顕微・近接場分光,領域5,領域1合同講演,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22pTR-11 微粒子マニピュレーションによるフォトニッククラスタの作製と光伝播特性(領域5,領域1合同メタマテリアル・フォトニック結晶,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 22pTR-11 微粒子マニピュレーションによるフォトニッククラスタの作製と光伝播特性(領域5,領域1合同 メタマテリアル・フォトニック結晶,領域5,光物性)
• 28aVD-11 散乱型ANSOM法を用いた金ナノロッド上の表面プラズモン分布の観測(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
• 28aVD-11 散乱型ANSOM法を用いた金ナノロッド上の表面プラズモン分布の観測(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 20aHQ-1 GaSeの四光波混合信号に見られる運動による尖鋭化の時間分解測定(20aHQ 超高速現象・量子井戸,領域5(光物性))
• 27pXB-3 GaSeの四光波混合信号に見られるスペクトルの尖鋭化(超高速現象,領域5,光物性)
• 25aXB-11 散乱型ANSOM法による金微小球の近接場光強度と位相分布の観測(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
• 22aPS-91 チップ増強発光法を用いた金回折格子の表面プラズモンの観測(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 19pPSB-29 光パルス照射による位相緩和抑制効果の遅延時間依存性2(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 25aPS-37 光パルス照射による位相緩和抑制効果の遅延時間依存性(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 28aPS-31 CdTe量子ドットにおける四光波混合(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 28aPS-30 ヘテロダイン検出による多光波混合II(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 21aYD-1 固体中のフェムト秒パルス伝播(超高速現象・格子振動・緩和励起子,領域5(光物性))
• 20pPSA-28 ヘテロダイン検出による多光波混合(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 13pPSA-33 半導体中の励起子における Non-Markov 過程と decoherence(領域 5)
• 13aXA-6 多光波混合による励起子のデコヒーレンス制御(実験)(超高速現象, 領域 5)
• 13aXA-5 多光波混合による励起子のデコヒーレンス制御(理論)(超高速現象, 領域 5)
• 22pPSA-22 2 次元半導体における多光波混合 2
• 29aYE-9 2 次元半導体における多光波混合
• 24aRG-10 InGaN薄膜の局在励起子発光におけるチップ増強効果(24aRG 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
• 13pPSA-34 コヒーレント制御のためのフェムト秒パルス整形(領域 5)
• 12pXC-5 (Ga, Mn)As における磁化誘起第二高調波発生 II(非線形光学・超高速現象, 領域 5)
• 22pPSA-46 ワイドギャップ半導体の二光子共鳴励起分光
• 18pYG-10 Zn_Mn_xSeのMn発光
• 13pPSA-28 ヘテロダイン検出法によるフォトンエコーの観測(領域 5)
• 12pXC-2 半導体量子アイランドにおける四光波混合(非線形光学・超高速現象, 領域 5)
• 20aWB-5 半導体量子アイランド中の励起子四光波混合 II
• 29aYE-6 半導体量子アイランド中の励起子四光波混合
• 25aPS-71 GaAs単一量子ドットの励起子発光の強度相関(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 20pPSB-10 半導体単一量子ドットの発光の時間分解測定(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 24aPS-93 半導体単一量子ドットの多励起子構造(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 24aPS-90 単一GaAs量子ドットのエネルギー準位構造及びドット内キャリア交換エネルギーの測定(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 12aXD-8 GaAs 単一量子ドットにおけるフォトルミネッセンススペクトルの磁場依存性(微粒子・ナノ結晶, 領域 5)
• 28aXS-11 単一GaAs量子ドット内キャリアー相関(微粒子・ナノ結晶)(領域5)
• 23PWB-5 GaAs 量子ドットのエネルギー準位構造の解析
• 20aTJ-3 SHG-FROG 法を用いた GaAs 中の透過パルス位相測定
• 23PWB-5 GaAs 量子ドットのエネルギー準位構造の解析
• 25pPSB-60 単一GaAs量子ドットの多励起子準位構造の研究(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
• 電気工学科における教育研究用コンピュ-タシミュレ-ションシステム
• 25pPSB-64 チップ増強ラマン分光法を用いた半導体ナノ構造の観察(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
• 24pRC-16 四光波混合法によるZnSeの時間分解スペクトルの測定(24pRC 超高速現象,領域5(光物性))
• 23pRE-9 異方的量子ドット内の荷電励起子分子による量子もつれ(23pRE 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 22aWA-10 多量子ビットの位相緩和解析(量子エレクトロニクス(量子情報),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 12aXD-9 ラマン分光による InGaAs 量子ドットのバリア障壁の解析(微粒子・ナノ結晶, 領域 5)
• 19pRG-5 GaAs単一量子ドットの発光スペクトル
• 18aPS-28 GaAs量子ドットにおけるサブレベル間緩和過程
• 27aYA-5 (Ga,Mn)Asにおける光誘起時間分解カー回転(磁性半導体)(領域4)
• 23pSB-2 CdMnTe磁気ポーラロン発光における高密度効果 II
• 22aK-7 (Ga,Mn)AsにおけるMCDスペクトルのキャリア密度依存性II
• 28p-YN-8 (GaMn)Asの発光特性に関する膜厚依存性
• 27aPS-80 単一CdSe/CdSコアーシェル型ナノロッド発光の顕微分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 25aXB-9 GaAs量子ドットにおける多励起子状態の偏光相関(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
• ホットウォールエピタキシー装置の製作とCdTe薄膜への応用
• 17pRE-10 半導体量子アイランド中の励起子位相緩和
• 27pYA-4 ZnSe薄膜の励起予共嶋ハイパーレイリー散乱の偏光依存性II
• 23pN-3 ZnSe薄膜の励起子共鳴ハイパーレイリー散乱の偏光依存性
• 27pXQ-8 フォトニック結晶中のパルス伝播(領域5,領域1合同 : フォトニック結晶)(領域5)
• 27pXQ-8 フォトニック結晶中のパルス伝播(フォトニック結晶)(領域5,領域1合同)
• 22aPS-89 フォノンと相互作用する局在光の2次元格子モデルII(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 21aTR-7 2次元格子プローブモデルにおけるフォノンと相互作用する近接場光(微粒子・ナノ結晶,その他,領域5,光物性)
• 30aVD-7 チップ増強ラマン分光によるGe/Si量子ドットの表面観測(30aVD 微粒子・ナノ結晶・局在中心,領域5(光物性))
• 22aPS-90 InGaNにおけるチップ増強発光の観測(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 17aYH-7 (Ga,Mn)Asにおける磁性の光照射効果
• 17aYH-6 (Ga,Mn)Asにおける光励起による過渡的円二色性の測定
• 23pSB-11 (Ga,Mn)AsのMCDスペクトルに対する円偏光励起効果
• 22aK-4 III-V族磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける中赤外吸収スペクトルのキャリア濃度依存性
• 30pPSA-48 マスクを用いた低密度量子ドット顕微分光スペクトル
• 29aPS-116 希薄磁性半導体 (Cd, Mn) Te における光照射効効果 II
• 29aPS-116 希薄磁性半導体 (Cd, Mn)Te における光照射効効果 II
• 27aYA-8 固体中のフェムト秒パルス光伝播III
• 29pTC-3 CdMnTe磁気ポーラロン発光における高密度効果III
• 20pPSA-18 半導体GaAsにおけるフェムト秒パルスの伝播特性(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• ブリッジマン法で育成されたCdTeのフォトルミネッセンス
• 20aHQ-2 GaAs量子井戸における四光波混合信号スペクトルの尖鋭化(20aHQ 超高速現象・量子井戸,領域5(光物性))
• 30aVD-6 強度相関によるGaAs量子ドットの多励起子状態(30aVD 微粒子・ナノ結晶・局在中心,領域5(光物性))
• 22aPS-92 GaAs量子ドットにおける多数のカスケード遷移過程(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 26aPS-76 強度相関によるGaAs量子ドットの多励起子構造II(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 23aN-13 固体中のフェムト秒パルス光伝播 II
• 26aYB-11 固体中のフェムト秒パルス光伝播
• 19pPSB-28 GaAs多重量子井戸における位相緩和のコヒーレント制御2(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 17aRE-15 Cd_Zn_xTeのSH分光
• 22pK-2 CdMnTe中の磁気ポーラロン発光における強励起効果
• 高圧ブリッジマン法で成長した無添加Cd0.91Zn0.09のPL特性
• 28p-YE-7 不均一拡がりのあるGaTe励起子発光の温度変化
• 低学年のディジタル回路関連科目におけるin situ 実験導入と効果
• 低学年の専門導入科目における in situ 実験の導入と効果
• 7aSB-4 希薄磁性半導体(Cd. Mn) Teにおける光照射効果(磁性半導体,領域4)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク