南 不二雄 | 東工大理
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概要
関連著者
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南 不二雄
東工大理
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南 不二雄
東工大院理工
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南 不二夫
東工大理
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黒田 隆
東工大理
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井上 久遠
北大電子研
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南 不二雄
北大応電研
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松下 俊一
東工大理
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長谷川 敦司
情通機構
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長谷川 敦司
通総研
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三森 康義
東工大理
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竹川 俊二
無機材研
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腰原 伸也
東工大理
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山中 明生
北大電子研
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国府田 隆夫
東京大学・工
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国府田 隆夫
日本女子大学理学部数物科学科
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Koda Tomonori
Department Of Polymer Science And Engineering Yamagata University
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滝田 宏樹
筑波大物質工
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小池 洋二
東北大工
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吉田 幸司
北大電子科研
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藤原 明比古
東大理
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黒田 眞司
筑波大物質工
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寺井 慶和
阪大院工
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寺井 慶和
筑波大物質
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寺井 慶和
物質・材料研究機構
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黒田 眞司
筑波大学物質工学系
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KODA Tomonori
Faculty of Engineering, Yamagata University
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黒田 眞司
筑波大物質
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滝田 宏樹
筑波大物質
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秋永 広幸
Jrcat融合研
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藤原 明比古
東北大工
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吉田 幸司
北大電子研
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齋藤 好民
東北大・工
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山本 和憲
北大電子研
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長谷川 延正
東工大理
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水野 正朝
東工大理
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十倉 好紀
東大工
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伊東 宏之
京大化研
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野地 尚
東北大工
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十倉 好紀
東大工:産総研cerc:erato-mf
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島田 良子
日本女子大学理学部数物科学科
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今田 彩
日本女子大理
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江良 皓
無機材研
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斎藤 好民
東北大工
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福島 一樹
東工大理
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黒田 隆
北大電子研
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斉藤 好民
東北大 工 応物
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Baranov A.V
ロシア国立光学研
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栗林 亮介
北大電子研
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伊東 宏之
東工大理
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三橋 哲也
東工大理
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小林 典男
東北大金研
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西嵜 照和
東北大金研
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佐藤 まりこ
東工大理
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加藤 雅恒
東北大工
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高橋 庸介
東工大理
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添野 一
東工大理
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秋元 克弥
東工大理
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秋永 広幸
融合研
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末宗 幾夫
北大電子研
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高野 圭恵
東工大理
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神田 久生
無機材研
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渡辺 賢司
無機材研
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麻山 展男
北大電子研
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Baranov A.V.
ロシア国立光学研
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古谷 孝
北大電子研
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山内 康寛
東工大理
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田中 士郎
東工大理
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秋永 広幸
融合研JRCAT
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高野 圭恵
東工大・理
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山内 康寛
東工大院理工
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渡邊 賢司
物質・材料研究機構物質研究所
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阿部 憲一
東工大理
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山中 明生
千歳科技大
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後藤 秀樹
三菱化学(株)オプトエレクトロニクス事業部
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浅香 修治
分子研
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長尾 哲
三菱化成総研
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藤森 俊成
三菱化成総研
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後藤 秀樹
三菱化成総研
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中山 毅
北大電子研
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渡辺 圭
東北大工
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Kluge Thomas
東北大工
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佐々木 恵一
東北大工
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伊藤 宏之
東工大理
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浅香 修治
北大・応電研
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渡辺 賢司
北大・応電研
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南 不二雄
北大・応電研
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林 正貴
北大電子科研
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藤木 道也
NTT基礎研
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藤木 道也
Ntt物性基礎研
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藤木 道也
Ntt物性基礎研究所 Crest-jst
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井上 久遠
北大電子科研
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林 正貴
北大電子研
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斉藤 好民
東北大工
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長尾 哲
三菱化学オプトエレクトロニクス研究所
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立川 篤
東工大理
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渡邊 圭
東北大工
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三森 康義
通総研
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蛯原 健三
東工大理
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西村 崇
東工大理
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十倉 好紀
産総研:東大工
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立川 篤
東工大院理工
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浅香 修司
分子研
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長谷川 敦司
北大電子研
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山田 資生
北大電子研
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高森 毅
沖電気工業株式会社研究開発本部半導体技術研究所
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相曽 景一
北大電子科研
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藤森 俊成
三菱化学(株) オプトエレクトロニクス技術開発センター
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横山 吉隆
東工大理
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渡辺 賢治
無機材研
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高森 毅
沖電気半技研
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上条 健
沖電気半技研
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長谷川 敦司
東工大理
著作論文
- 25p-YN-18 TTF-CAの光誘起中性-イオン性相転移の初期過程における励起波長依存性
- 30p-YH-6 2次元フォトニック結晶中の光伝播II
- 5a-J-11 2次元フォトニック結晶中の光伝播
- 31p-YC-3 TTF-CAの光誘起中性-イオン性相転移の初期過程における励起強度依存性
- 31p-YB-12 ラテックス単層膜における光パルス伝搬の観測
- 光誘起中性-イオン性相転移の初期過程
- 5p-F-3 タイプIIGaP/AlP/GaP量子井戸の電子状態
- 30p-R-10 ダイヤモンドの光放射の2光子励起分光
- 26a-ZE-14 ダイヤモンドの光放射の2光子励起
- Bi_2Sr_2CaCu_2O_単結晶の異方性、次元性と超伝導特性
- 4a-YE-11 結晶構造及びキャリア数を制御したBi_2Sr_2CaCu_2O_の異方性
- 31a-YH-9 ヨウ素インターカレーションによるBi_2Sr_2Ca_Y_xCu_2O_8の電子物性の変化II
- 30p-W-16 GaAs系量子井戸構造における共鳴SHG
- 4p-E5-1 インコヒーレント光を用いた周波数混合型時間分解発光分光
- 15a-DC-4 ブリュースター角度入射配置の反射スペクトルに見られる、薄膜および超格子中の励起子構造
- 30p-N-4 Bi系超伝導体の電子ラマン散乱 : ホール濃度依存性
- 27aYC-15 CdTe自己形成ドットにおける顕微時間分解発光
- 30p-W-18 ZnSe超格子におけるコヒーレント過渡現象III : 四光波混合法による励起子分子の生成
- 28a-YQ-12 ZnSe超格子におけるコヒーレント過渡現象II : 自由誘導減衰と四光波混合の比較
- 5p-YE-6 Bi系超伝導体の電子ラマン散乱 : 超伝導ギャップの異方性II
- 30p-WB-7 Bi系超伝導体の電子ラマン散乱 : 超伝導ギャップの異方性
- 13a-T-7 Bi系超伝導体における電子ラマン散乱のキャリア濃度依存性
- 26aYB-7 GaSeのスペクトル拡散2
- 31p-ZG-4 GaSe中のトランジェントグレーティングの偏光依存性
- 29p-Z-16 らせん構造ポリシランの電子状態
- 1a-N-12 GaAs/AlAs短周期超格子中の圧力誘起α-γ交差
- 31p-ZB-2 Cd_Mn_xTe自己形成量子ドットの顕微分光
- 31p-ZB-2 Cd_Mn_xTe自己形成量子ドットの顕微分光
- 28a-YP-19 CdTe自己形成量子点の顕微分光
- 27p-YP-3 ZnSe中のSHG光の偏光依存性
- 28p-YB-10 銅ハライド微結晶の二光子共鳴現象2
- 銅ハライド微結晶におけるピコ秒共鳴発光
- 銅ハライド微結晶の二光子共鳴現象
- 28a-YQ-9 ZnSeの2P励起子の微細構造II
- 4a-G-7 ZnSe2p励起子の微細構造
- 24pC-3 Cd_Mn_xTe自己組織化量子ドットの発光スペクトル(II)
- 31p-YG-8 半導体微粒子における蓄積フォントエコー現象
- 29p-R-4 ZnMnSeにおけるエネルギー移動過程
- 30p-R-11 二次元励起子系の自由誘導減衰
- 27p-YP-2 ブリュスター反射下フェムト秒光パルスの時間形状
- 28a-H-6 ZnSe薄膜結晶の禁制配置における前方共鳴SHGの観測と強度
- 12p-DD-9 ZnS薄膜における共鳴SHGI 禁制配置での観測と二光子吸収との相関
- 2p-X-10 ZnMnSeの励起子位相緩和
- 31p-ZG-6 層状半導体における励起子磁気副準位間の蛍光量子ビートの観測II
- 27p-YP-1 層状半導体における励起子磁気副準位間の蛍光量子ビートの観測
- 27p-YP-6 GaSe中の誘導フォトンエコーII
- 27p-YP-5 GaSe中の誘導フォトンエコーI
- 6p-G-13 ZnSe中の2P励起子のコヒーレント過渡応答
- 3a-X-5 GaAs/AlAs超格子のピコ秒共鳴発光
- 28a-YQ-8 半導体超格子中の励起子準位の均一幅
- 6p-G-12 層状半導体GaSeの量子干渉効果の観測
- 28a-H-9 ブリュースター角度入射配置の反射パルスの時間形状に見られる励起子コヒーレント過渡現象
- 30p-R-9 GaSe励起子における四光波混合に見られる励起子多体効果
- 1p-Z-9 量子ビートの時間形状 : 3パルス四光波混合
- 30p-W-19 四光波混合における量子ビートと分極干渉
- 28a-YQ-10 半導体の励起子共鳴付近における反射パルスの時間形状II
- 4a-G-19 半導体の励起子共鳴付近における反射パレスの時間形状
- 4a-G-18 誘導フォントエコーによる量子ビートの偏光依存性