藤森 俊成 | 三菱化学(株) オプトエレクトロニクス技術開発センター

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• 藤森 俊成

  三菱化学(株) オプトエレクトロニクス技術開発センター

• 藤森 俊成

  三菱化学(株)オプトエレクトロニクス事業部

• 堀江 秀善

  三菱化学(株)オプトエレクトロニクス事業部

• 後藤 秀樹

  三菱化学(株)オプトエレクトロニクス事業部

• 長尾 哲

  三菱化学科学技術研究センター

• 堀江 秀善

  三菱化学科学技術研究センター

• 新居 信広

  三菱化学(株)オプトエレクトロニクス技術開発センター

• 小室 直之

  三菱化学(株)オプトエレクトロニクス技術開発センター

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• 松島 裕一

  (株) Kddi研究所

• 腰原 伸也

  東工大理

• 南 不二雄

  東工大理

• 宇佐見 正士

  (株)KDD研究所

• 松島 裕一

  (株)KDD研究所

• 福島 一樹

  東工大理

• 高野 圭恵

  東工大理

• 長尾 哲

  三菱化成総研

• 藤森 俊成

  三菱化成総研

• 後藤 秀樹

  三菱化成総研

• 長尾 哲

  三菱化学オプトエレクトロニクス研究所

• 松島 裕一

  株式会社KDD研究所

• 高野 圭恵

  東工大・理

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著作論文

• 海底光通信用980nm高出力半導体レーザーの開発
• 5p-F-3 タイプIIGaP/AlP/GaP量子井戸の電子状態
• 弱屈折率導波埋め込みストライプ型InGaAs歪量子井戸980nm帯半導体レーザの高出力動作特性
• 弱屈折率導波埋め込みストライプ型InGaAs歪量子井戸980nm帯半導体レーザの高出力動作特性

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