弱屈折率導波埋め込みストライプ型InGaAs歪量子井戸980nm帯半導体レーザの高出力動作特性
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概要
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DWDM技術の進展に伴って、EDFA用の励起光源として不可欠な、InGaAs歪量子井戸を有する980nm帯半導体レーザ(LD)には、さらなる高出力化が要求されている。そこで、高出力動作時にも単一横モード発振が可能な素子を実現すべく、実効屈折率差(⊿n_<eff>)を3.5×10^<-3>とし、弱く屈折率導波する機構とした埋め込みストライプ型980nm帯LDを試作した。この結果、500mWを超える先出力まで単一横モード動作が確認された。さらに、350mWと400mW光出力における寿命試験を行なったところ、3, 600時間を超える安定な駆動が確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-06-29
著者
-
藤森 俊成
三菱化学(株)オプトエレクトロニクス事業部
-
堀江 秀善
三菱化学(株)オプトエレクトロニクス事業部
-
長尾 哲
三菱化学科学技術研究センター
-
堀江 秀善
三菱化学科学技術研究センター
-
新居 信広
三菱化学(株)オプトエレクトロニクス技術開発センター
-
小室 直之
三菱化学(株)オプトエレクトロニクス技術開発センター
-
長尾 哲
三菱化学(株)オプトエレクトロニクス技術開発センター
-
小室 直之
三菱化学(株) オプトエレクトロニクス技術開発センター
-
藤森 俊成
三菱化学(株) オプトエレクトロニクス技術開発センター
-
新居 信広
三菱化学(株) オプトエレクトロニクス技術開発センター
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