BESS : バイポーラ埋込みソース構造によるSOICMOSFETの基板浮遊効果解消
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概要
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絶縁膜上にトランジスタを構成するSOICMOSFETの最大の問題である基板浮遊効果;ドレイン強電界で発生した少数キャリアの基板内蓄積に基づく閾電圧変動や降伏電庄の低下;を解消する新ソース構造を提案した。新構造はソース底面領域に埋込み構成されたバイポーラの等価回路で表せる。ソース内に低濃度拡散層(べース)で囲まれた再結合中心を構成し、コレクタとして作用させる。低濃度べースは基板(エミッタ)内少数キャリアに対する拡散障壁を低減させる。理込み酸化膜界面まで非晶質化されたSiイオン注入領域はその後の熱処理でも多結晶性を保持する現象を見出し、再結合中心とした。新構造はソース、ドレイン対称構造で、且つCMOSに適用可能であり、降伏電圧の改善は従来改善例に比べて2倍の効果が得られ、通常基板と同等にまで回復できる特徴がある。
- 1997-03-13
著者
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