29a-G-12 有限障壁誘電性量子井戸中の励起子過程(29aG 半導体(超格子))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1989-03-28
著者
関連論文
- 29p-YN-6 シリコンクラスターの誘電率と励起子構造
- 28a-J-3 Siクラスター励起子とそのスピン構造
- 27p-ZF-6 間接遷移型物質の量子ドットにおける発光過程の理論
- 27a-F-6 間接遷移型物質における量子閉じ込め効果と発光過程の理論
- 28a-W-4 励起誘起周波数シフト : 観測と理論
- 27pYC-7 InGaAs量子ドットの励起子/励起子分子光過程における量子干渉効果
- GaNの選択成長と微小ファセットレーザへの応用
- 27p-A-7 半導体超格子の非線型光学応答
- 25a-W-1 一次元電子正孔系の光吸収スペクトルとSommerfeld因子 : モデルポテンシャルによる厳密解
- 30p-G-5 シリコンクラスターにおける励起子の第一原理的計算
- シリコンクラスターの誘電率と励起子状態
- ナノ結晶における多励起子状態と誘導吸収II
- ナノ結晶における多励起子状態と誘導吸収I
- 27p-Z-11 Theory of biexciton states in semiconductor quantum dots
- 6p-N-2 メソスコピック系における励起子光物性の最近の進展
- 6p-N-2 メソスコピック系における励起子光物性の最近の進展
- 31a-ZH-4 異方的形状の量子ドットにおける励起子の微細構造II
- 28a-YP-20 異方的形状の量子ドットにおける励起子の微細構造
- 26p-YC-7 単一量子ドットにおける励起子の位相緩和
- 量子ドットにおける多励起子状態と光非線形性
- 31p-YG-12 量子ドットにおける励起子の純位相緩和
- 28a-YB-9 量子井戸内の島状構造に局在した励起子の位相緩和
- 1a-Y-2 量子ドットの励起子分子によるレーザー発振の機構
- 27a-Z-5 Siナノ結晶における電子格子相互作用とストークスシフト
- GaAs量子井戸励起子の位相緩和時間の層厚依存性
- 1p-L1-4 誘電率超格子中の励起子の光過程(半導体,(表面・界面・超格子))
- 3a-C-12 半導体微粒子中の励起子分子状態(イオン結晶・光物性)
- 29a-G-12 有限障壁誘電性量子井戸中の励起子過程(29aG 半導体(超格子))